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제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
1N3210

1N3210

DIODE GEN PURP 200V 15A DO203AB

GeneSiC Semiconductor

3
RFQ
1N3210데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 200 V 15A 1.5 V @ 15 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 175°C
1N3214

1N3214

DIODE GEN PURP 600V 15A DO5

GeneSiC Semiconductor

6,268
RFQ
1N3214데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 600 V 15A 1.5 V @ 15 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 175°C
S85J

S85J

DIODE GEN PURP 600V 85A DO5

GeneSiC Semiconductor

9,647
RFQ
S85J데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 600 V 85A 1.1 V @ 85 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 180°C
S85VR

S85VR

DIODE GEN PURP REV 1.4KV 85A DO5

GeneSiC Semiconductor

3,238
RFQ
S85VR데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1400 V 85A 1.1 V @ 85 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
1N6095R

1N6095R

DIODE SCHOTTKY REV 30V 25A DO4

GeneSiC Semiconductor

9,251
RFQ
1N6095R데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 30 V 25A 580 mV @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 20 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -55°C ~ 150°C
MBR8045

MBR8045

DIODE SCHOTTKY 45V 80A DO5

GeneSiC Semiconductor

6,951
RFQ
MBR8045데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky 45 V 80A 650 mV @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 45 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -55°C ~ 150°C
GB02SHT06-46

GB02SHT06-46

DIODE SIL CARBIDE 600V 4A TO46

GeneSiC Semiconductor

8,914
RFQ
GB02SHT06-46데이터시트 - TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Bulk Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 4A 1.6 V @ 1 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 600 V 76pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-46 -55°C ~ 225°C
150KR60A

150KR60A

DIODE GP REV 600V 150A DO205AA

GeneSiC Semiconductor

4,556
RFQ
150KR60A데이터시트 - DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 150A 1.33 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 35 mA @ 600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) -40°C ~ 200°C
S300YR

S300YR

DIODE GP REV 1.6KV 300A DO9

GeneSiC Semiconductor

2,041
RFQ
S300YR데이터시트 - DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1600 V 300A 1.2 V @ 300 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-9 -60°C ~ 180°C
S380Y

S380Y

DIODE GP 1.6KV 380A DO205AB DO9

GeneSiC Semiconductor

1
RFQ
S380Y데이터시트 - DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard 1600 V 380A 1.2 V @ 380 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-205AB (DO-9) -60°C ~ 180°C
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