단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
GB02SLT06-214

GB02SLT06-214

SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A

GeneSiC Semiconductor

3,680
RFQ
GB02SLT06-214데이터시트 * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - -
GC08MPS12-220

GC08MPS12-220

DIODE SIL CARB 1.2KV 43A TO220-2

GeneSiC Semiconductor

4,827
RFQ
GC08MPS12-220데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 43A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 7 µA @ 1200 V 545pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GB05SLT12-252

GB05SLT12-252

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252

GeneSiC Semiconductor

7,573
RFQ
GB05SLT12-252데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 260pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 -55°C ~ 175°C
GC05MPS12-252

GC05MPS12-252

DIODE SIL CARB 1.2KV 27A TO252-2

GeneSiC Semiconductor

6,730
RFQ
GC05MPS12-252데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 27A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 4 µA @ 1200 V 359pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
S6B

S6B

DIODE GEN PURP 100V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,975
RFQ
S6B데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 100 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S6BR

S6BR

DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

5,296
RFQ
S6BR데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S6D

S6D

DIODE GEN PURP 200V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

4,555
RFQ
S6D데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 200 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S6DR

S6DR

DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

4,886
RFQ
S6DR데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S6G

S6G

DIODE GEN PURP 400V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

8,768
RFQ
S6G데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 400 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
S6GR

S6GR

DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

3,180
RFQ
S6GR데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 6A 1.1 V @ 6 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 175°C
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