단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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GC50MPS06-247

GC50MPS06-247

DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

29
RFQ
GC50MPS06-247데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 50A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-247-2 175°C (Max)
FR30J02

FR30J02

DIODE GEN PURP 600V 30A DO5

GeneSiC Semiconductor

43
RFQ
FR30J02데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 600 V 30A 1 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
FR70GR02

FR70GR02

DIODE GEN PURP REV 400V 70A DO5

GeneSiC Semiconductor

24
RFQ
FR70GR02데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 70A 1.4 V @ 70 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
MBR8045R

MBR8045R

DIODE SCHOTTKY REV 45V 80A DO5

GeneSiC Semiconductor

26
RFQ
MBR8045R데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 45 V 80A 650 mV @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 45 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -55°C ~ 150°C
150K20A

150K20A

DIODE GEN PURP 200V 150A DO205AA

GeneSiC Semiconductor

7
RFQ
150K20A데이터시트 - DO-205AA, DO-8, Stud Bulk Active Standard 200 V 150A 1.33 V @ 150 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 35 mA @ 200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) -40°C ~ 200°C
1N1186A

1N1186A

DIODE GEN PURP 200V 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

2,768
RFQ
1N1186A데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 200 V 40A 1.1 V @ 40 A - - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
GB05MPS33-263

GB05MPS33-263

DIODE SIL CARB 3.3KV 14A TO263-7

GeneSiC Semiconductor

9,776
RFQ
GB05MPS33-263데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 3300 V 14A 3 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 3000 V 288pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-7 -55°C ~ 175°C
1N1200A

1N1200A

DIODE GEN PURP 100V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

9,031
RFQ
1N1200A데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 100 V 12A 1.1 V @ 12 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 200°C
1N3892R

1N3892R

DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

7,271
RFQ
1N3892R데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
1N3893R

1N3893R

DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

2,816
RFQ
1N3893R데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
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