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제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
1N8034-GA

1N8034-GA

DIODE SIL CARB 650V 9.4A TO257

GeneSiC Semiconductor

6,554
RFQ
1N8034-GA데이터시트 - TO-257-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 9.4A 1.34 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 650 V 1107pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-257 -55°C ~ 250°C
1N8035-GA

1N8035-GA

DIODE SIL CARB 650V 14.6A TO276

GeneSiC Semiconductor

3,320
RFQ
1N8035-GA데이터시트 - TO-276AA Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 14.6A 1.5 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 650 V 1107pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-276 -55°C ~ 250°C
GAP05SLT80-220

GAP05SLT80-220

DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL

GeneSiC Semiconductor

9,212
RFQ
GAP05SLT80-220데이터시트 - Axial Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 8000 V 50mA 4.6 V @ 50 mA No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 3.8 µA @ 8000 V 25pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole - -55°C ~ 175°C
GB02SHT01-46

GB02SHT01-46

DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46

GeneSiC Semiconductor

6,492
RFQ
GB02SHT01-46데이터시트 - TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Bulk Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 100 V 4A 1.6 V @ 1 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 100 V 76pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-46 -55°C ~ 210°C
MBRH30020L

MBRH30020L

DIODE SCHOTTKY 20V 300A D-67

GeneSiC Semiconductor

7,200
RFQ
MBRH30020L데이터시트 - D-67 Bulk Obsolete Schottky 20 V 300A 580 mV @ 300 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 3 mA @ 20 V - - - Chassis Mount D-67 -55°C ~ 150°C
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