단일 다이오드
| 사진 | 제조사 부품번호 | 재고 여부 | 수량 | 데이터시트 | 시리즈 | 패키지/케이스 | 패키징 | 제품 상태 | 기술 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전류 - 평균 정류(Io) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 속도 | 역방향 복구 시간(trr) | 전류 - 역방향 누설 @ Vr | 커패시턴스 @ Vr, F | 등급 | 자격 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 | 작동 온도 - 접합 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1N8034-GADIODE SIL CARB 650V 9.4A TO257 GeneSiC Semiconductor |
6,554 |
|
|
- | TO-257-3 | Tube | Obsolete | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 9.4A | 1.34 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 5 µA @ 650 V | 1107pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-257 | -55°C ~ 250°C |
|
|
1N8035-GADIODE SIL CARB 650V 14.6A TO276 GeneSiC Semiconductor |
3,320 |
|
|
- | TO-276AA | Tube | Obsolete | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 14.6A | 1.5 V @ 15 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 5 µA @ 650 V | 1107pF @ 1V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-276 | -55°C ~ 250°C |
|
GAP05SLT80-220DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL GeneSiC Semiconductor |
9,212 |
|
|
- | Axial | Tube | Obsolete | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 8000 V | 50mA | 4.6 V @ 50 mA | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 3.8 µA @ 8000 V | 25pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | - | -55°C ~ 175°C |
|
|
GB02SHT01-46DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46 GeneSiC Semiconductor |
6,492 |
|
|
- | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can | Bulk | Obsolete | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 100 V | 4A | 1.6 V @ 1 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 5 µA @ 100 V | 76pF @ 1V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-46 | -55°C ~ 210°C |
|
MBRH30020LDIODE SCHOTTKY 20V 300A D-67 GeneSiC Semiconductor |
7,200 |
|
|
- | D-67 | Bulk | Obsolete | Schottky | 20 V | 300A | 580 mV @ 300 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | 3 mA @ 20 V | - | - | - | Chassis Mount | D-67 | -55°C ~ 150°C |
