단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
S85Q

S85Q

DIODE GEN PURP 1.2KV 85A DO5

GeneSiC Semiconductor

370
RFQ
S85Q데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1200 V 85A 1.1 V @ 85 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 180°C
1N3881R

1N3881R

DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

512
RFQ
1N3881R데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 6A 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 15 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
1N3879R

1N3879R

DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

236
RFQ
1N3879R데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 50 V 6A 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 15 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
1N3889R

1N3889R

DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

150
RFQ
1N3889R데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 50 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
S85YR

S85YR

DIODE GEN PURP REV 1.6KV 85A DO5

GeneSiC Semiconductor

208
RFQ
S85YR데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1600 V 85A 1.1 V @ 85 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
FR40MR05

FR40MR05

DIODE GEN PURP REV 1KV 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

155
RFQ
FR40MR05데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 40A 1 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
MBRH12040R

MBRH12040R

DIODE SCHOTTKY REV 40V 120A D-67

GeneSiC Semiconductor

44
RFQ
MBRH12040R데이터시트 - D-67 HALF-PAK Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 40 V 120A 700 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 40 V - - - Chassis Mount D-67 -55°C ~ 150°C
MBRH20045R

MBRH20045R

DIODE SCHOTTKY REV 45V 200A D-67

GeneSiC Semiconductor

62
RFQ
MBRH20045R데이터시트 - D-67 Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 45 V 200A 700 mV @ 200 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 45 V - - - Chassis Mount D-67 -55°C ~ 150°C
MBRH20045

MBRH20045

DIODE SCHOTTKY 45V 200A D-67

GeneSiC Semiconductor

52
RFQ
MBRH20045데이터시트 - D-67 Bulk Active Schottky 45 V 200A 650 mV @ 200 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 5 mA @ 20 V - - - Chassis Mount D-67 -
GD30MPS06J

GD30MPS06J

DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7

GeneSiC Semiconductor

540
RFQ
GD30MPS06J데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 51A - No Recovery Time > 500mA (Io) - - 735pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-7 -55°C ~ 175°C
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