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제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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GD30MPS12J-TR

GD30MPS12J-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 59A TO263-7

GeneSiC Semiconductor

2,036
RFQ
GD30MPS12J-TR데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 59A 1.8 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 1101pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-7 -55°C ~ 175°C
GD15MPS17H

GD15MPS17H

DIODE SIL CARB 1.7KV 36A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

1,214
RFQ
GD15MPS17H데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 36A 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 1082pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GD50MPS12H

GD50MPS12H

DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

124
RFQ
GD50MPS12H데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 92A 1.8 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 15 µA @ 1200 V 1835pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GD10MPS12H

GD10MPS12H

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

540
RFQ
GD10MPS12H데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-247-2 175°C
GD30MPS06H

GD30MPS06H

DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

614
RFQ
GD30MPS06H데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 49A - No Recovery Time > 500mA (Io) - - 735pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GD20MPS12A

GD20MPS12A

DIODE SIL CARB 1.2KV 42A TO220-2

GeneSiC Semiconductor

2,307
RFQ
GD20MPS12A데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 42A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 737pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
1N3891

1N3891

DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

887
RFQ
1N3891데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 200 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
1N1184

1N1184

DIODE GEN PURP 100V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

191
RFQ
1N1184데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 100 V 35A 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N1184A

1N1184A

DIODE GEN PURP 100V 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

260
RFQ
1N1184A데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 100 V 40A 1.1 V @ 40 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 200°C
1N2130AR

1N2130AR

DIODE GEN PURP REV 150V 60A DO5

GeneSiC Semiconductor

245
RFQ
1N2130AR데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 150 V 60A 1.1 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 200°C
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