단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
FR306BULK

FR306BULK

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000
RFQ
FR306BULK데이터시트 - DO-201AD, Axial Bag Active Standard 800 V 3A 1.3 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 10 µA @ 800 V 60pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
BYD13DBULK

BYD13DBULK

DIODE AVALANCHE 200V 1.4A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000
RFQ
BYD13DBULK데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Avalanche 200 V 1.4A 1.05 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 200 V - - - Through Hole DO-41 175°C
BYD33GBULK

BYD33GBULK

DIODE AVALANCHE 400V 1.3A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000
RFQ
BYD33GBULK데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Avalanche 400 V 1.3A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 1 µA @ 400 V - - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 175°C
HER102BULK

HER102BULK

DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000
RFQ
HER102BULK데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Standard 100 V 1A 1.1 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 100 V 50pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 150°C
BYD13JBULK

BYD13JBULK

DIODE AVALANCHE 600V 1.4A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000
RFQ
BYD13JBULK데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Avalanche 600 V 1.4A 1.05 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 600 V - - - Through Hole DO-41 175°C
BYD33MBULK

BYD33MBULK

DIODE AVALANCHE 1KV 1.3A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000
RFQ
BYD33MBULK데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Avalanche 1000 V 1.3A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 1 µA @ 1000 V - - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 175°C
1N5818BULK

1N5818BULK

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

4,000
RFQ
1N5818BULK데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Schottky 30 V 1A 550 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 30 V 110pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 125°C
1N5819BULK

1N5819BULK

DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

3,000
RFQ
1N5819BULK데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Schottky 40 V 1A 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 40 V 110pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 125°C
FR304BULK

FR304BULK

DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

2,500
RFQ
FR304BULK데이터시트 - DO-201AD, Axial Bag Active Standard 400 V 3A 1.3 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 10 µA @ 400 V 60pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
BYD13KBULK

BYD13KBULK

DIODE AVALANCHE 800V 1.4A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

2,000
RFQ
BYD13KBULK데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Avalanche 800 V 1.4A 1.05 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 800 V - - - Through Hole DO-41 175°C
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