단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
SF56-BULK

SF56-BULK

DIODE GEN PURP 400V 5A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

3,500
RFQ
SF56-BULK데이터시트 - DO-201AD, Axial Bag Active Standard 400 V 5A 1.7 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 400 V 50pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
FEPF16DT

FEPF16DT

DIODE GEN PURP 200V 16A ITO220AB

EIC SEMICONDUCTOR INC.

530
RFQ
FEPF16DT데이터시트 - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Bag Active Standard 200 V 16A 950 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 200 V 85pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AB -55°C ~ 150°C
MR854BULK

MR854BULK

DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

500
RFQ
MR854BULK데이터시트 - DO-201AD, Axial Bag Active Standard 400 V 3A 1.25 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 10 µA @ 400 V 28pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
MR850BULK

MR850BULK

DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

1,000
RFQ
MR850BULK데이터시트 - DO-201AD, Axial Bag Active Standard 50 V 3A 1.25 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 10 µA @ 50 V 28pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
1N5817BULK

1N5817BULK

DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

1,000
RFQ
1N5817BULK데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Schottky 20 V 1A 450 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 20 V 110pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 125°C
BYV26E

BYV26E

DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

1,000
RFQ
BYV26E데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Avalanche 1000 V 1A 2.5 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 5 µA @ 1000 V - - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 175°C
HER103BULK

HER103BULK

DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

1,000
RFQ
HER103BULK데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Standard 200 V 1A 1.1 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 200 V 50pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 150°C
BY299BULK

BY299BULK

DIODE GEN PURP 800V 2A DO15

EIC SEMICONDUCTOR INC.

500
RFQ
BY299BULK데이터시트 - DO-204AC, DO-15, Axial Bag Active Standard 800 V 2A 1.3 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 10 µA @ 800 V 28pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-15 -50°C ~ 125°C
1N4001

1N4001

DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

9,770
RFQ
1N4001데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Standard 50 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 5 µA @ 50 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 175°C
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