단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
1N5396BULK

1N5396BULK

DIODE GEN PURP 500V 1.5A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

20,000
RFQ
1N5396BULK데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Standard 500 V 1.5A 1.1 V @ 1.5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 500 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 175°C
1N5394BULK

1N5394BULK

DIODE GEN PURP 300V 1.5A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

20,000
RFQ
1N5394BULK데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Standard 300 V 1.5A 1.1 V @ 1.5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 300 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 175°C
1N5397BULK

1N5397BULK

DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

20,000
RFQ
1N5397BULK데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Standard 600 V 1.5A 1.1 V @ 1.5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 A @ 600 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 175°C
1N5392BULK

1N5392BULK

DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

20,000
RFQ
1N5392BULK데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Standard 100 V 1.5A 1.1 V @ 1.5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 100 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 175°C
1N4007BULK

1N4007BULK

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

17,000
RFQ
1N4007BULK데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Standard 1000 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 5 µA @ 1000 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 175°C
1N5405BULK

1N5405BULK

DIODE GEN PURP 500V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

15,000
RFQ
1N5405BULK데이터시트 - DO-201AD, Axial Bag Active Standard 500 V 3A 1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 500 V 28pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 175°C
1N5401BULK

1N5401BULK

DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

14,647
RFQ
1N5401BULK데이터시트 - DO-201AD, Axial Bag Active Standard 100 V 3A 950 mV @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 100 V 28pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 175°C
1N5403BULK

1N5403BULK

DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

13,500
RFQ
1N5403BULK데이터시트 - DO-201AD, Axial Bag Active Standard 300 V 3A 1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 300 V 28pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 175°C
1N5395BULK

1N5395BULK

DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

10,000
RFQ
1N5395BULK데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Standard 400 V 1.5A 1.1 V @ 1.5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 400 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 175°C
1N5402BULK

1N5402BULK

DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

6,750
RFQ
1N5402BULK데이터시트 - DO-201AD, Axial Bag Active Standard 200 V 3A 950 mV @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 200 V 28pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 175°C
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