단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
1N5400BULK

1N5400BULK

DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

4,000
RFQ
1N5400BULK데이터시트 - DO-201AD, Axial Bag Active Standard 50 V 3A 950 mV @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 50 V 28pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 175°C
1N5407BULK

1N5407BULK

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

4,000
RFQ
1N5407BULK데이터시트 - DO-201AD, Axial Bag Active Standard 800 V 3A 950 mV @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 800 V 28pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 175°C
RM11A-BULK

RM11A-BULK

DIODE GEN PURP 600V 1.2A D2

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000
RFQ
RM11A-BULK데이터시트 - D-2, Axial Bag Active Standard 600 V 1.2A 920 mV @ 1.5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 600 V 30pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole D2 -65°C ~ 175°C
RM11B-BULK

RM11B-BULK

DIODE GEN PURP 800V 1.2A D2

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000
RFQ
RM11B-BULK데이터시트 - D-2, Axial Bag Active Standard 800 V 1.2A 920 mV @ 1.5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 800 V 30pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole D2 -65°C ~ 175°C
1N4005BULK

1N4005BULK

DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

7,000
RFQ
1N4005BULK데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Standard 600 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 5 µA @ 600 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 175°C
HER306T/R

HER306T/R

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000
RFQ
HER306T/R데이터시트 - DO-201AD, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 3A 1.7 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 10 µA @ 600 V 50pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
HER305T/R

HER305T/R

DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000
RFQ
HER305T/R데이터시트 - DO-201AD, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 3A 1.1 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 400 V 50pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
RM11C-BULK

RM11C-BULK

DIODE GEN PURP 1KV 1.2A D2

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000
RFQ
RM11C-BULK데이터시트 - D-2, Axial Bag Active Standard 1000 V 1.2A 920 mV @ 1.5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1000 V 30pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole D2 -65°C ~ 175°C
FR101BULK

FR101BULK

DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

39,000
RFQ
FR101BULK데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Standard 50 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 5 µA @ 50 V 50pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 150°C
FR102BULK

FR102BULK

DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

38,000
RFQ
FR102BULK데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Standard 100 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 5 µA @ 100 V 50pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 150°C
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