단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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VS-3C10ET12T-M3

VS-3C10ET12T-M3

10A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

915
RFQ
VS-3C10ET12T-M3데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 60 µA @ 1200 V 38pF @ 800V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
SDS120J010H3-ISATH

SDS120J010H3-ISATH

DIODE 1200V-10A TO247-2L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS120J010H3-ISATH데이터시트 Sanan TO247 TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 36A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 780pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2L -55°C ~ 175°C
SCS215ANHRTRL

SCS215ANHRTRL

650V 15A SMD SILICON CARBIDE

Rohm Semiconductor

500
RFQ
SCS215ANHRTRL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 15A 1.55 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 600 V 550pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L 175°C
JANTX1N914UR

JANTX1N914UR

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA

Microchip Technology

233
RFQ
JANTX1N914UR데이터시트 - DO-213AA Bulk Active Standard 75 V 200mA 1.2 V @ 50 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 5 ns 500 nA @ 75 V 4pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/116 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
TSCDT16065G1

TSCDT16065G1

DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

994
RFQ
TSCDT16065G1데이터시트 - TO-220-2 Tube Active Schottky 650 V 16A 1.45 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 70pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
IDWD140E120D7XKSA1

IDWD140E120D7XKSA1

DIODE GEN PURP 1200V 207A TO247

Infineon Technologies

167
RFQ
IDWD140E120D7XKSA1데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 207A 3 V @ 140 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 225 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
TSCDF16065G1

TSCDF16065G1

DIODE SCHOTTKY 650V 16A ITO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

1,000
RFQ
TSCDF16065G1데이터시트 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Schottky 650 V 16A 1.45 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 70pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
1N3070-1

1N3070-1

DIODE GEN PURP 175V 100MA DO7

Microchip Technology

257
RFQ
1N3070-1데이터시트 - DO-204AA, DO-7, Axial Bulk Active Standard 175 V 100mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 50 ns - - - - Through Hole DO-7 -65°C ~ 175°C
SDS065J020H3-ISATH

SDS065J020H3-ISATH

DIODE 650V-20A TO247-2L

Luminus Devices Inc.

190
RFQ
SDS065J020H3-ISATH데이터시트 Sanan TO247 TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 51A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 1018pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2L -55°C ~ 175°C
1N3070UR-1/TR

1N3070UR-1/TR

SIGNAL OR COMPUTER DIODE

Microchip Technology

135
RFQ
1N3070UR-1/TR데이터시트 - DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Standard 175 V 100mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 50 ns 100 nA @ 175 V - - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
PCDF1065G1_T0_00601

PCDF1065G1_T0_00601

650V/10A THROUGH HOLE SILICON CA

Panjit International Inc.

2,000
RFQ
PCDF1065G1_T0_00601데이터시트 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 70 µA @ 650 V 380pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
VS-3C15ET12T-M3

VS-3C15ET12T-M3

15A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,000
RFQ
VS-3C15ET12T-M3데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.5 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 75 µA @ 1200 V 56pF @ 800V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
SCS212AJTLL

SCS212AJTLL

DIODE SIL CARB 650V 12A TO263AB

Rohm Semiconductor

960
RFQ
SCS212AJTLL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.55 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 240 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-263AB 175°C (Max)
PCDP1065GB_T0_00601

PCDP1065GB_T0_00601

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

1,975
RFQ
PCDP1065GB_T0_00601데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.6 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V 446pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
VS-1N1183A

VS-1N1183A

DIODE GEN PURP 50V 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

204
RFQ
VS-1N1183A데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 50 V 40A 1.3 V @ 126 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 2.5 mA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 200°C
TSCDF20065G1

TSCDF20065G1

DIODE SCHOTTKY 650V 20A ITO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

992
RFQ
TSCDF20065G1데이터시트 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Schottky 650 V 20A 1.45 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 92.7pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
TSCDT20065G1

TSCDT20065G1

DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

967
RFQ
TSCDT20065G1데이터시트 - TO-220-2 Tube Active Schottky 650 V 20A 1.45 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 92.7pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
VS-3C10ET12S2L-M3

VS-3C10ET12S2L-M3

10A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

800
RFQ
VS-3C10ET12S2L-M3데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 60 µA @ 1200 V 38pF @ 800V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
S5D10170H2

S5D10170H2

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

294
RFQ
S5D10170H2데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 44A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 978pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
PCDP1265GC_T0_00601

PCDP1265GC_T0_00601

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

2,000
RFQ
PCDP1265GC_T0_00601데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.8 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V 372pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
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카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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