단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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E6D16065H

E6D16065H

DIODE SIC 650V TO247

Wolfspeed, Inc.

444
RFQ
E6D16065H데이터시트 E TO-247-2 Bulk Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 51A 1.5 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 1017pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
S3D50065F

S3D50065F

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

294
RFQ
S3D50065F데이터시트 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 680 V 112A 1.7 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 680 V 3120pF @ 0V, 100MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
PCDP1665GC_T0_00601

PCDP1665GC_T0_00601

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

2,000
RFQ
PCDP1665GC_T0_00601데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.8 V @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V 446pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
VS-3C15ET12S2L-M3

VS-3C15ET12S2L-M3

15A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

800
RFQ
VS-3C15ET12S2L-M3데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.5 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 75 µA @ 1200 V 56pF @ 800V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
VS-3C20ET12T-M3

VS-3C20ET12T-M3

20A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,000
RFQ
VS-3C20ET12T-M3데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 110 µA @ 1200 V 73pF @ 800V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
S4D40120F

S4D40120F

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

500
RFQ
S4D40120F데이터시트 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active - - - - - - - - - - Through Hole ITO-220AC -
S4D30120F

S4D30120F

1200V, 30A, ITO-220AC, SIC SCHOT

SMC Diode Solutions

250
RFQ
S4D30120F데이터시트 - - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
SDS120J020H3-ISATH

SDS120J020H3-ISATH

DIODE 1200V-20A TO247-2L

Luminus Devices Inc.

297
RFQ
SDS120J020H3-ISATH데이터시트 Sanan TO247 TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 63A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 1565pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2L -55°C ~ 175°C
VS-3C20EP12L-M3

VS-3C20EP12L-M3

20A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

500
RFQ
VS-3C20EP12L-M3데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 110 µA @ 1200 V 73pF @ 800V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-3C20CP12L-M3

VS-3C20CP12L-M3

20A 1200V SIC ZERO QRR DUAL TJMA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

500
RFQ
VS-3C20CP12L-M3데이터시트 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 60 µA @ 1200 V 38pF @ 800V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
1N5418US

1N5418US

DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B

Microchip Technology

102
RFQ
1N5418US데이터시트 - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 400 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 400 V - - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
PCDP2065GC_T0_00601

PCDP2065GC_T0_00601

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

2,000
RFQ
PCDP2065GC_T0_00601데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.8 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V 529pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
PCDP1665GB_T0_00601

PCDP1665GB_T0_00601

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

2,000
RFQ
PCDP1665GB_T0_00601데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.6 V @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V 995pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
SCS230ANHRTRL

SCS230ANHRTRL

650V, 30A, SMD, SILICON-CARBIDE

Rohm Semiconductor

892
RFQ
SCS230ANHRTRL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.55 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 600 µA @ 600 V 1090pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount LPDS 175°C
PCDP20120GB_T0_00601

PCDP20120GB_T0_00601

SIC DIODE 1200V/20A IN TO-220AC

Panjit International Inc.

2,000
RFQ
PCDP20120GB_T0_00601데이터시트 - - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
C6D20065D1

C6D20065D1

SIC, SCHOTTKY DIODE, 64A, 650V,

Wolfspeed, Inc.

866
RFQ
C6D20065D1데이터시트 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 64A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
C6D20065H

C6D20065H

SIC, SCHOTTKY DIODE,66A, 650V, T

Wolfspeed, Inc.

365
RFQ
C6D20065H데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 66A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
S4D30120H

S4D30120H

DIODE SIL CARB 1.2KV 94A TO247AC

SMC Diode Solutions

1,170
RFQ
S4D30120H데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 94A 1.8 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 2581pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
VS-3C30EP12L-M3

VS-3C30EP12L-M3

30A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

494
RFQ
VS-3C30EP12L-M3데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 30A 1.5 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 130 µA @ 1200 V 124pF @ 800V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
FFSH5065B-F155

FFSH5065B-F155

650V 50A SIC SBD GEN 1.5

onsemi

435
RFQ
FFSH5065B-F155데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 48A 1.7 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 2030pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
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카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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