단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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1N6628

1N6628

DIODE GEN PURP 600V 1.75A A-PAK

Microchip Technology

102
RFQ
1N6628데이터시트 - A, Axial Bulk Active Standard 600 V 1.75A 1.35 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 2 µA @ 600 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
C6D30065H

C6D30065H

88A, 650V SILICON CARBIDE SCHOTT

Wolfspeed, Inc.

322
RFQ
C6D30065H데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 88A 1.5 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 45 µA @ 650 V 1851pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
CDLL5711/TR

CDLL5711/TR

DIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO213AA

Microchip Technology

101
RFQ
CDLL5711/TR데이터시트 - DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Schottky 50 V 33mA 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
VS-60EPF06-M3

VS-60EPF06-M3

DIODE GP 600V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

582
RFQ
VS-60EPF06-M3데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-3C20ET12S2L-M3

VS-3C20ET12S2L-M3

20A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

800
RFQ
VS-3C20ET12S2L-M3데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 110 µA @ 1200 V 73pF @ 800V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
PCDP2065GB_T0_00601

PCDP2065GB_T0_00601

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

2,000
RFQ
PCDP2065GB_T0_00601데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.6 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V 1211pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
VS-1N1184A

VS-1N1184A

DIODE GEN PURP 100V 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

266
RFQ
VS-1N1184A데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 100 V 40A 1.3 V @ 126 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 2.5 mA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 200°C
VS-3C30CP12L-M3

VS-3C30CP12L-M3

30A 1200V SIC ZERO QRR DUAL TJMA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

500
RFQ
VS-3C30CP12L-M3데이터시트 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 30A 1.5 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 75 µA @ 1200 V 56pF @ 800V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
JANTX1N5711UR-1/TR

JANTX1N5711UR-1/TR

DIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO213AA

Microchip Technology

829
RFQ
JANTX1N5711UR-1/TR데이터시트 - DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Schottky 50 V 33mA 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
NVDSH20120C

NVDSH20120C

DIODE SIL CARB 1.2KV 26A TO247-2

onsemi

447
RFQ
NVDSH20120C데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 26A 1.75 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1480pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
STPSC20G12WLY

STPSC20G12WLY

AUTOMOTIVE 1200 V, 20A POWER SCH

STMicroelectronics

170
RFQ
STPSC20G12WLY데이터시트 ECOPACK®2 TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 150 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-247 LL -55°C ~ 175°C
IDWD10G200C5XKSA1

IDWD10G200C5XKSA1

SIC DISCRETE

Infineon Technologies

240
RFQ
IDWD10G200C5XKSA1데이터시트 CoolSiC™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 2000 V 35A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 2 kV 1140pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole PG-TO247-2-U01 -55°C ~ 175°C
SCS220KNHRTRL

SCS220KNHRTRL

1200V 20A SMD SILICON CARBIDE

Rohm Semiconductor

500
RFQ
SCS220KNHRTRL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.6 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 1200 V 1050pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263L 175°C
DSEP60-06AZ-TRL

DSEP60-06AZ-TRL

Power Diode Discretes-FRED TO-

IXYS

376
RFQ
DSEP60-06AZ-TRL데이터시트 - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 60A 2.04 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 650 µA @ 600 V 67pF @ 400V, 1MHz - - Surface Mount TO-268AA (D3Pak-HV) -55°C ~ 175°C
S3D100068H2

S3D100068H2

SILICON CARBIDE DIODE 680V, 100A

SMC Diode Solutions

300
RFQ
S3D100068H2데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 680 V 180A 1.7 V @ 100 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 680 V 6400pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
SDS120J030H3-ISATH

SDS120J030H3-ISATH

DIODE 1200V-30A TO247-2L

Luminus Devices Inc.

133
RFQ
SDS120J030H3-ISATH데이터시트 Sanan TO247 TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 95A 1.5 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 72 µA @ 1200 V 2546pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2L -55°C ~ 175°C
VS-3C40CP12L-M3

VS-3C40CP12L-M3

40A 1200V SIC ZERO QRR DUAL TJMA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

484
RFQ
VS-3C40CP12L-M3데이터시트 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 40A 1.5 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 110 µA @ 1200 V 73pF @ 800V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
E6D40065H

E6D40065H

DIODE SIC 650V TO247

Wolfspeed, Inc.

381
RFQ
E6D40065H데이터시트 E TO-247-2 Bulk Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 109A 1.5 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 650 V 2460pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
IDW32G65C5BXKSA2

IDW32G65C5BXKSA2

DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3

Infineon Technologies

230
RFQ
IDW32G65C5BXKSA2데이터시트 CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.7 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 470pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3 -55°C ~ 175°C
S5D25170H

S5D25170H

1700V, 25A, TO-247AC, SIC SCHOTT

SMC Diode Solutions

107
RFQ
S5D25170H데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Schottky 1700 V 66A 1.8 V @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1700 V 2252pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
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카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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