단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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PSDH60120S1_T0_00001

PSDH60120S1_T0_00001

TO-247AD-2LD, FAST

Panjit International Inc.

3,904
RFQ
PSDH60120S1_T0_00001데이터시트 - TO-247-2 Tube Not For New Designs Standard 1200 V 60A 3.2 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 255 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD-2 -55°C ~ 150°C
PSDH6060S1_T0_00001

PSDH6060S1_T0_00001

TO-247AD-2LD, FAST

Panjit International Inc.

1,347
RFQ
PSDH6060S1_T0_00001데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 2.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 250 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD-2 -55°C ~ 150°C
IDWD40E65E7XKSA1

IDWD40E65E7XKSA1

HOME APPLIANCES 14

Infineon Technologies

168
RFQ
IDWD40E65E7XKSA1데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 50A 2.1 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 89 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
VS-3C05ET12T-M3

VS-3C05ET12T-M3

5A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJM

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

939
RFQ
VS-3C05ET12T-M3데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.5 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 30 µA @ 1200 V 20pF @ 800V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
JAN1N5615

JAN1N5615

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Microchip Technology

853
RFQ
JAN1N5615데이터시트 - A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
MUR60120BH-BP

MUR60120BH-BP

SUPERFAST RECTIFIERS 1200V 60A,

Micro Commercial Co

1,800
RFQ
MUR60120BH-BP데이터시트 - TO-247-2 Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 60A 3.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 5 µA @ 1200 V 250pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-ETU3006STRLHM3

VS-ETU3006STRLHM3

DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

208
RFQ
VS-ETU3006STRLHM3데이터시트 FRED Pt® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 30A 2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 30 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -65°C ~ 175°C
SDS065J010S3-ISBRH

SDS065J010S3-ISBRH

DIODE 650V-10A DFN8*8-4L

Luminus Devices Inc.

300
RFQ
SDS065J010S3-ISBRH데이터시트 - 4-PowerVSFN Tape & Reel (TR) Active - 650 V 10A - - - - - - - Surface Mount 4-DFN (8x8) -
FFSM1065B

FFSM1065B

DIODE SIL CARB 650V 13.5A 4PQFN

onsemi

4,519
RFQ
FFSM1065B데이터시트 - 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13.5A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 424pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
IDWD50E65E7XKSA1

IDWD50E65E7XKSA1

DIODE GEN PURP 650V 92A TO247-2

Infineon Technologies

220
RFQ
IDWD50E65E7XKSA1데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 92A 2.1 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 94 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
S5D05170H

S5D05170H

1700V, 5A, TO-247AC, SIC SCHOTTK

SMC Diode Solutions

121
RFQ
S5D05170H데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Schottky 1700 V 22A 1.8 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1700 V 497pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
IDWD60E120D7XKSA1

IDWD60E120D7XKSA1

DIODE GEN PURP 1200V 94A TO247-2

Infineon Technologies

192
RFQ
IDWD60E120D7XKSA1데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 94A 3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 175 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
E6D10065A

E6D10065A

SIC, SCHOTTKY DIODE

Wolfspeed, Inc.

985
RFQ
E6D10065A데이터시트 E TO-220-2 Bulk Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 34A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 630pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C3D08060G-TR

C3D08060G-TR

DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

780
RFQ
C3D08060G-TR데이터시트 Z-Rec® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 24A 1.8 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 600 V 26pF @ 400V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
PCDF0665G1_T0_00601

PCDF0665G1_T0_00601

650V/6A THROUGH HOLE SILICON CAR

Panjit International Inc.

2,000
RFQ
PCDF0665G1_T0_00601데이터시트 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 232pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
PGR9016PT_T0_00301

PGR9016PT_T0_00301

STANDARD REVERSE RECOVERY POWER

Panjit International Inc.

2,100
RFQ
PGR9016PT_T0_00301데이터시트 - - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
TSCDT10065G1

TSCDT10065G1

DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

2,986
RFQ
TSCDT10065G1데이터시트 - TO-220-2 Tube Active Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 45pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
TSCDF10065G1

TSCDF10065G1

DIODE SCHOTTKY 650V 10A ITO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

986
RFQ
TSCDF10065G1데이터시트 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 20 µA @ 650 V 45pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
VS-HFA08PB60-N3

VS-HFA08PB60-N3

DIODE GP 600V 8A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

250
RFQ
VS-HFA08PB60-N3데이터시트 HEXFRED® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 8A 1.7 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 5 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 150°C
PCDD0665GB_L2_00601

PCDD0665GB_L2_00601

650V/6A IN TO-252AA PACKAGE SILI

Panjit International Inc.

3,000
RFQ
PCDD0665GB_L2_00601데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.6 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 373pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
Total 47618 Record«Prev1... 577578579580581582583584...2381Next»

카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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