단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

전체 초기화
전체 적용
결과
사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
RFUH20TJ6SFHGC9

RFUH20TJ6SFHGC9

SUPER FAST RECOVERY DIODE : RFUH

Rohm Semiconductor

1,000
RFQ
RFUH20TJ6SFHGC9데이터시트 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 20A 2.8 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 220 ns 10 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220ACFP 150°C
TRS12V65H,LQ

TRS12V65H,LQ

G3 SIC-SBD 650V 12A DFN8X8

Toshiba Semiconductor and Storage

4,472
RFQ
TRS12V65H,LQ데이터시트 - 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.35 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 650 V 778pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) 175°C
SDS120J005C3-ISATH

SDS120J005C3-ISATH

DIODE 1200V-5A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS120J005C3-ISATH데이터시트 Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 22A 1.5 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 400pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
VS-3C10EV07T-M3/I

VS-3C10EV07T-M3/I

SIC-G3-SLIMDPAK 2L

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,391
RFQ
VS-3C10EV07T-M3/I데이터시트 eSMP® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 55 µA @ 650 V 445pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount SlimDPAK -55°C ~ 175°C
S6D20065A

S6D20065A

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

250
RFQ
S6D20065A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 61A 1.6 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 1650pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
S3D15065I

S3D15065I

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

990
RFQ
S3D15065I데이터시트 - TO-220-2 Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 42A 1.7 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 15 µA @ 650 V 1243pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-Isolation -55°C ~ 175°C
SDS065J010D3-ISARH

SDS065J010D3-ISARH

DIODE 650V-10A TO252-2L

Luminus Devices Inc.

300
RFQ
SDS065J010D3-ISARH데이터시트 Sanan TO263 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 29A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 556pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2L -55°C ~ 175°C
S3D15065H

S3D15065H

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

300
RFQ
S3D15065H데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 42A 1.7 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 15 µA @ 650 V 1243pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
TRS12E65H,S1Q

TRS12E65H,S1Q

G3 SIC-SBD 650V 12A TO-220-2L

Toshiba Semiconductor and Storage

370
RFQ
TRS12E65H,S1Q데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.35 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 650 V 778pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L 175°C
BSDD10G65E2

BSDD10G65E2

DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO252

Bourns Inc.

9,660
RFQ
BSDD10G65E2데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 323pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
IDWD50E120D7XKSA1

IDWD50E120D7XKSA1

DIODE GEN PURP 1200V 81A TO247-2

Infineon Technologies

230
RFQ
IDWD50E120D7XKSA1데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 81A 3 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 160 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
SDS065J010C3-ISATH

SDS065J010C3-ISATH

DIODE 650V-10A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

290
RFQ
SDS065J010C3-ISATH데이터시트 Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 556pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
SDS120J010C3-ISATH

SDS120J010C3-ISATH

DIODE 1200V-10A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS120J010C3-ISATH데이터시트 Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 37A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 780pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
FFSB0665A

FFSB0665A

DIODE SIL CARB 650V 9A D2PAK-3

onsemi

800
RFQ
FFSB0665A데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 9A 1.75 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 361pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSP2065B

FFSP2065B

DIODE SIL CARB 650V 22.5A TO220

onsemi

397
RFQ
FFSP2065B데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 22.5A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
SDS065J010E3-ISARH

SDS065J010E3-ISARH

DIODE 650V-10A TO263-2L

Luminus Devices Inc.

300
RFQ
SDS065J010E3-ISARH데이터시트 Sanan TO263 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 556pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2L -55°C ~ 175°C
BSDH10G120E2

BSDH10G120E2

DIODE SIC 1200V 10A TO220-2

Bourns Inc.

2,929
RFQ
BSDH10G120E2데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.6 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1200 V 481pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
PCDP0465GB_T0_00601

PCDP0465GB_T0_00601

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

1,931
RFQ
PCDP0465GB_T0_00601데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.6 V @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V 260pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
IDK08G65C5XTMA2

IDK08G65C5XTMA2

DIODE SIL CARB 650V 8A TO263-2

Infineon Technologies

959
RFQ
IDK08G65C5XTMA2데이터시트 CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - 250pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2 -55°C ~ 175°C
FFSD1065B-F085

FFSD1065B-F085

DIODE SIL CARB 650V 13.5A DPAK

onsemi

1,968
RFQ
FFSD1065B-F085데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13.5A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 424pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
Total 47618 Record«Prev1... 576577578579580581582583...2381Next»

카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

Masstock Electronics

검색

Masstock Electronics

제품

Masstock Electronics

전화

Masstock Electronics

사용자

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics