단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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IDWD120E65E7XKSA1

IDWD120E65E7XKSA1

DIODE GEN PURP 650V 150A TO247-2

Infineon Technologies

210
RFQ
IDWD120E65E7XKSA1데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 150A 2.1 V @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 98 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
VS-65EPS16L-M3

VS-65EPS16L-M3

DIODE GEN PURP 1.6KV 65A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

184
RFQ
VS-65EPS16L-M3데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 65A 1.17 V @ 65 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1600 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
C6D08065E-TR

C6D08065E-TR

SIC, SCHOTTKY DIODE, 8A, 650V, T

Wolfspeed, Inc.

2,370
RFQ
C6D08065E-TR데이터시트 Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 29A 1.5 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 518pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C6D08065G-TR

C6D08065G-TR

SIC, SCHOTTKY DIODE, 8A, 650V, T

Wolfspeed, Inc.

2,300
RFQ
C6D08065G-TR데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.4 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 518pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
C3D08065E-TR

C3D08065E-TR

DIODE SIL CARB 650V 25.5A TO252

Wolfspeed, Inc.

2,190
RFQ
C3D08065E-TR데이터시트 Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 25.5A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 395pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
STPSC12065D

STPSC12065D

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC

STMicroelectronics

749
RFQ
STPSC12065D데이터시트 ECOPACK®2 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.45 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 650 V 750pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
SDS120J010D3-ISARH

SDS120J010D3-ISARH

DIODE 1200V-10A TO252-2L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS120J010D3-ISARH데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 37A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 780pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2L -55°C ~ 175°C
BSDD10S65E6

BSDD10S65E6

DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO252

Bourns Inc.

4,995
RFQ
BSDD10S65E6데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
BSDB10S65E6

BSDB10S65E6

DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO263

Bourns Inc.

3,170
RFQ
BSDB10S65E6데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263 -55°C ~ 175°C
BSDL10S65E6

BSDL10S65E6

DIODE SIC SCHTKY 650V 10A DFN8X8

Bourns Inc.

2,697
RFQ
BSDL10S65E6데이터시트 - 4-PowerVSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount 5-DFN (8x8) -55°C ~ 175°C
FFSM1265A

FFSM1265A

DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN

onsemi

2,585
RFQ
FFSM1265A데이터시트 - 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12.5A 1.75 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 665pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
PSC1065KQ

PSC1065KQ

PSC1065K/SOT8021/TO220-2L

Nexperia USA Inc.

974
RFQ
PSC1065KQ데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 340pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 175°C
IDWD60E65E7XKSA1

IDWD60E65E7XKSA1

DIODE GEN PURP 650V 100A TO247-2

Infineon Technologies

187
RFQ
IDWD60E65E7XKSA1데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 100A 2.1 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 99 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
IDWD75E120D7XKSA1

IDWD75E120D7XKSA1

DIODE GEN PURP 1200V 116A TO247

Infineon Technologies

235
RFQ
IDWD75E120D7XKSA1데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 116A 3 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 195 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
VS-3C05ET12S2L-M3

VS-3C05ET12S2L-M3

5A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJM

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

796
RFQ
VS-3C05ET12S2L-M3데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.5 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 30 µA @ 1200 V 20pF @ 800V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
IDWD75E65E7XKSA1

IDWD75E65E7XKSA1

DIODE GEN PURP 650V 100A TO247-2

Infineon Technologies

210
RFQ
IDWD75E65E7XKSA1데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 100A 2.1 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 97 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
SDS065J012S3-ISARH

SDS065J012S3-ISARH

DIODE 650V-12A DFN8*8-4L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS065J012S3-ISARH데이터시트 Sanan DFN8 4-PowerVSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 44A 1.5 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 36 µA @ 650 V 651pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount 4-DFN (8x8) -55°C ~ 175°C
PCDP0865GC_T0_00601

PCDP0865GC_T0_00601

650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

2,000
RFQ
PCDP0865GC_T0_00601데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.8 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V 260pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
APT60D120SG

APT60D120SG

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3

Microchip Technology

156
RFQ
APT60D120SG데이터시트 - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active Standard 1200 V 60A 2.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 250 µA @ 1200 V - - - Surface Mount D3PAK -55°C ~ 175°C
FFSB2065B

FFSB2065B

DIODE SIL CARB 650V 22.8A D2PAK

onsemi

2,178
RFQ
FFSB2065B데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 22.8A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
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카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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