단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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SF3008PTH

SF3008PTH

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

Taiwan Semiconductor Corporation

688
RFQ
SF3008PTH데이터시트 - TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 30A 1.7 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 600 V 175pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD (TO-3P) -55°C ~ 150°C
SDS065J006S3-ISBRH

SDS065J006S3-ISBRH

DIODE 650V-6A DFN8*8-4L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS065J006S3-ISBRH데이터시트 Sanan DFN8 4-PowerVSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23A 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 18 µA @ 650 V 310pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount 4-DFN (8x8) -55°C ~ 175°C
SDS065J008D3-ISARH

SDS065J008D3-ISARH

DIODE 650V-8A TO252-2L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS065J008D3-ISARH데이터시트 Sanan TO252 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.3 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 24 µA @ 650 V - - - Surface Mount TO-252-2L -55°C ~ 175°C
TRS8E65H,S1Q

TRS8E65H,S1Q

G3 SIC-SBD 650V 8A TO-220-2L

Toshiba Semiconductor and Storage

338
RFQ
TRS8E65H,S1Q데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.35 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 650 V 520pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L 175°C
FFSD1065B

FFSD1065B

DIODE SIL CARB 650V 13.5A DPAK

onsemi

4,116
RFQ
FFSD1065B데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13.5A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 424pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
SE30124-M3/I

SE30124-M3/I

30A,1200V,DO-218AB RECTIFIER

Vishay

3,000
RFQ
SE30124-M3/I데이터시트 - DO-218AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 4.2A 1.2 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1200 V 35pF @ 400V, 1MHz - - Surface Mount DO-218AB -55°C ~ 175°C
VS-20ETF12FP-M3

VS-20ETF12FP-M3

DIODE GP 1.2KV 20A TO220-2FP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

695
RFQ
VS-20ETF12FP-M3데이터시트 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 1200 V 20A 1.31 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220-2 Full Pack -40°C ~ 150°C
BSDD08G65E2

BSDD08G65E2

DIODE SCHOT SIC 650V 8A TO252

Bourns Inc.

5,000
RFQ
BSDD08G65E2데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 267pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
SIT10C065

SIT10C065

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

Diotec Semiconductor

980
RFQ
SIT10C065데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-220AC -50°C ~ 175°C
VS-APU3006HN3

VS-APU3006HN3

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

492
RFQ
VS-APU3006HN3데이터시트 FRED Pt® TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 30A 2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 30 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
PCDF0465G1_T0_00601

PCDF0465G1_T0_00601

650V/4A THROUGH HOLE SILICON CAR

Panjit International Inc.

2,000
RFQ
PCDF0465G1_T0_00601데이터시트 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 160pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
FFSM0865B

FFSM0865B

DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN

onsemi

2,980
RFQ
FFSM0865B데이터시트 - 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 11.6A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 336pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
SDS065J008C3-ISATH

SDS065J008C3-ISATH

DIODE 650V-8A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS065J008C3-ISATH데이터시트 Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 25A 1.5 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 24 µA @ 650 V 395pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
VS-20ETF04STRL-M3

VS-20ETF04STRL-M3

DIODE GEN PURP 400V 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,894
RFQ
VS-20ETF04STRL-M3데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 20A 1.3 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 400 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
PCDD0465GB_L2_00601

PCDD0465GB_L2_00601

650V/4A IN TO-252AA PACKAGE SILI

Panjit International Inc.

3,000
RFQ
PCDD0465GB_L2_00601데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.6 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 261pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
TRS10V65H,LQ

TRS10V65H,LQ

G3 SIC-SBD 650V 10A DFN8X8

Toshiba Semiconductor and Storage

3,975
RFQ
TRS10V65H,LQ데이터시트 - 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.35 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 649pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) 175°C
IDWD30E120D7XKSA1

IDWD30E120D7XKSA1

DIODE GEN PURP 1200V 52A TO247-2

Infineon Technologies

120
RFQ
IDWD30E120D7XKSA1데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 52A 3 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) 135 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
D6015L52TP

D6015L52TP

DIODE GP 600V 9.5A ITO220AB

Littelfuse Inc.

457
RFQ
D6015L52TP데이터시트 - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 9.5A 1.6 V @ 15 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 4 µs 10 µA @ 600 V - - - Through Hole ITO-220AB -40°C ~ 125°C
SIT12C065

SIT12C065

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC

Diotec Semiconductor

1,000
RFQ
SIT12C065데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.75 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-220AC -50°C ~ 175°C
IDWD20E65E7XKSA1

IDWD20E65E7XKSA1

HOME APPLIANCES 14

Infineon Technologies

220
RFQ
IDWD20E65E7XKSA1데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 42A 2.1 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 74 ns 20 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-2-2 -40°C ~ 175°C
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카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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