단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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CRU24730-600 SL

CRU24730-600 SL

RECTIFIER-ULTRA FAST <100

Central Semiconductor Corp

1,440
RFQ
CRU24730-600 SL데이터시트 - - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
MBR30170MFST3G

MBR30170MFST3G

DIODE SCHOTTKY 170V 30A 5DFN

onsemi

5,000
RFQ
MBR30170MFST3G데이터시트 - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active Schottky 170 V 30A 890 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 170 V 821pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) -55°C ~ 175°C
TRS6V65H,LQ

TRS6V65H,LQ

G3 SIC-SBD 650V 6A DFN8X8

Toshiba Semiconductor and Storage

4,803
RFQ
TRS6V65H,LQ데이터시트 - 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.35 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 70 µA @ 650 V 392pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) 175°C
FESF16JTHE3_A/P

FESF16JTHE3_A/P

DIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,995
RFQ
FESF16JTHE3_A/P데이터시트 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 16A 1.5 V @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole ITO-220AC -65°C ~ 150°C
SF3006PT

SF3006PT

DIODE GEN PURP 400V 30A TO247AD

Taiwan Semiconductor Corporation

806
RFQ
SF3006PT데이터시트 - TO-247-3 Tube Active Standard 400 V 30A 1.3 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 400 V 175pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD (TO-3P) -55°C ~ 150°C
YQ30NL10SETL

YQ30NL10SETL

TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 30A,

Rohm Semiconductor

990
RFQ
YQ30NL10SETL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 30A 860 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 150 µA @ 100 V - - - Surface Mount TO-263L 150°C
VS-EPH3007L-N3

VS-EPH3007L-N3

DIODE GEN PURP 650V 30A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

390
RFQ
VS-EPH3007L-N3데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 30A 2.1 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 37 ns 30 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-EPU3006LHN3

VS-EPU3006LHN3

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

499
RFQ
VS-EPU3006LHN3데이터시트 FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 30A 2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 30 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
TRS6E65H,S1Q

TRS6E65H,S1Q

G3 SIC-SBD 650V 6A TO-220-2L

Toshiba Semiconductor and Storage

194
RFQ
TRS6E65H,S1Q데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.35 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 70 µA @ 650 V 392pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L 175°C
BSDH08G65E2

BSDH08G65E2

DIODE SCHOT SIC 650V 8A TO220-2

Bourns Inc.

3,000
RFQ
BSDH08G65E2데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 267pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
VS-25ETS08S-M3

VS-25ETS08S-M3

DIODE GEN PURP 800V 25A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,049
RFQ
VS-25ETS08S-M3데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 800 V 25A 1.14 V @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 800 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
SDS065J006D3-ISARH

SDS065J006D3-ISARH

DIODE 650V-6A TO252-2L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS065J006D3-ISARH데이터시트 Sanan TO263 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 310pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2L -55°C ~ 175°C
VS-20ETF06STRL-M3

VS-20ETF06STRL-M3

DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,202
RFQ
VS-20ETF06STRL-M3데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 20A 1.3 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
IDW50E60FKSA1

IDW50E60FKSA1

DIODE GEN PURP 600V 80A TO247-3

Infineon Technologies

240
RFQ
IDW50E60FKSA1데이터시트 - TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 80A 2 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 115 ns 40 µA @ 600 V - - - Through Hole PG-TO247-3 -40°C ~ 175°C
FFSB0665B

FFSB0665B

DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2

onsemi

712
RFQ
FFSB0665B데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 40 µA @ 650 V 259pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
SDS065J010N3-ISATH

SDS065J010N3-ISATH

DIODE 650V-10A TO220N-2L

Luminus Devices Inc.

290
RFQ
SDS065J010N3-ISATH데이터시트 Sanan TO220N TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 26A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 556pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220N-2L -55°C ~ 175°C
BSDD06G65E2

BSDD06G65E2

DIODE SIC 650V 6A TO252

Bourns Inc.

4,963
RFQ
BSDD06G65E2데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 30 µA @ 650 V 201pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
SDS065J006C3-ISATH

SDS065J006C3-ISATH

DIODE 650V-6A TO220-2L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS065J006C3-ISATH데이터시트 Sanan TO220 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 310pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
VS-8EWS12STRL-M3

VS-8EWS12STRL-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,900
RFQ
VS-8EWS12STRL-M3데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 8A 1.1 V @ 8 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -55°C ~ 150°C
SDS065J006E3-ISARH

SDS065J006E3-ISARH

DIODE 650V-6A TO263-2L

Luminus Devices Inc.

200
RFQ
SDS065J006E3-ISARH데이터시트 Sanan TO263 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 310pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2L -55°C ~ 175°C
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카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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