단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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PCDD08120G1_L2_00001

PCDD08120G1_L2_00001

1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

Panjit International Inc.

2,137
RFQ
PCDD08120G1_L2_00001데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 418pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
JANTX1N5712-1

JANTX1N5712-1

DIODE SCHOTTKY 20V 750MA DO35

Microchip Technology

154
RFQ
JANTX1N5712-1데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 20 V 750mA 1 V @ 35 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 150 nA @ 16 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
C3D16065D1

C3D16065D1

DIODE SIL CARBIDE 650V TO247-3

Wolfspeed, Inc.

651
RFQ
C3D16065D1데이터시트 Z-Rec® TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 43A 1.8 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 95 µA @ 650 V 740pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
VS-40HF60

VS-40HF60

DIODE GEN PURP 600V 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

139
RFQ
VS-40HF60데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 600 V 40A 1.3 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 190°C
FFSH10120A-F085

FFSH10120A-F085

DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2

onsemi

895
RFQ
FFSH10120A-F085데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 17A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 612pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
FFSB3065B-F085

FFSB3065B-F085

DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAK

onsemi

4,032
RFQ
FFSB3065B-F085데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 73A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 1280pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSB10120A-F085

FFSB10120A-F085

DIODE SIL CARB 1.2KV 21A D2PAK

onsemi

197
RFQ
FFSB10120A-F085데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 21A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 612pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSB20120A

FFSB20120A

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 32A D2PAK-3

onsemi

503
RFQ
FFSB20120A데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 32A 1.75 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 1220pF @ 1V, 100KHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
NDSH10170A

NDSH10170A

DIODE SIL CARB 1.7KV 16A TO247-2

onsemi

374
RFQ
NDSH10170A데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 16A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1700 V 856pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GP3D010A170B

GP3D010A170B

DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2

SemiQ

360
RFQ
GP3D010A170B데이터시트 Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 39A 1.65 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1700 V 699pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
1N5804US

1N5804US

DIODE GEN PURP 100V 1A D-5A

Microchip Technology

1,182
RFQ
1N5804US데이터시트 - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 100 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 100 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
VS-60APF12-M3

VS-60APF12-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

627
RFQ
VS-60APF12-M3데이터시트 - TO-247-3 Tube Active Standard 1200 V 60A 1.4 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
DSEP60-06A

DSEP60-06A

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD

IXYS

300
RFQ
DSEP60-06A데이터시트 HiPerFRED™ TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 2.04 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 650 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
JANTX1N5551US

JANTX1N5551US

DIODE GEN PURP 400V 5A B SQ-MELF

Microchip Technology

155
RFQ
JANTX1N5551US데이터시트 - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 400 V 5A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/420 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
STPSC20H12D

STPSC20H12D

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO220AC

STMicroelectronics

806
RFQ
STPSC20H12D데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 1200 V 1650pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
GD30MPS12H

GD30MPS12H

DIODE SIL CARB 1.2KV 55A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

503
RFQ
GD30MPS12H데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 55A 1.8 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 1200 V 1101pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
1N1190AR

1N1190AR

DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

869
RFQ
1N1190AR데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 40A 1.1 V @ 40 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
SCS220AJTLL

SCS220AJTLL

DIODE SIL CARB 650V 20A TO263AB

Rohm Semiconductor

1,713
RFQ
SCS220AJTLL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.55 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 600 V 730pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB 175°C (Max)
GD30MPS12J-TR

GD30MPS12J-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 59A TO263-7

GeneSiC Semiconductor

2,036
RFQ
GD30MPS12J-TR데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 59A 1.8 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 1101pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-7 -55°C ~ 175°C
VS-1N2128A

VS-1N2128A

DIODE GEN PURP 50V 60A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

102
RFQ
VS-1N2128A데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 50 V 60A 1.3 V @ 188 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 200°C
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카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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