단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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FFSD08120A

FFSD08120A

DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA

onsemi

2,010
RFQ
FFSD08120A데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 22.5A 1.75 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 538pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
STPSC10H12G2Y-TR

STPSC10H12G2Y-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK

STMicroelectronics

498
RFQ
STPSC10H12G2Y-TR데이터시트 ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK HV -40°C ~ 175°C
1N5802

1N5802

DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL

Microchip Technology

298
RFQ
1N5802데이터시트 - A, Axial Bulk Active Standard 50 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 50 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
VS-16F120

VS-16F120

DIODE GEN PURP 1.2KV 16A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

104
RFQ
VS-16F120데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1200 V 16A 1.23 V @ 50 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 12 mA @ 1200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
1N5807

1N5807

DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Microchip Technology

198
RFQ
1N5807데이터시트 - B, Axial Bulk Active Standard 50 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 50 V 60pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JANTX1N5417

JANTX1N5417

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Microchip Technology

204
RFQ
JANTX1N5417데이터시트 - B, Axial Bulk Active Standard 200 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
DH20-18A

DH20-18A

DIODE GEN PURP 1.8KV 20A TO247

IXYS

129
RFQ
DH20-18A데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1800 V 20A 2.24 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 50 µA @ 1800 V - - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 150°C
1N5615US

1N5615US

DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Microchip Technology

630
RFQ
1N5615US데이터시트 - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 200 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 200 V 45pF @ 12V, 1MHz - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
VS-60EPU02-N3

VS-60EPU02-N3

DIODE GP 200V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

554
RFQ
VS-60EPU02-N3데이터시트 FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 200 V 60A 1.08 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 28 ns 50 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 175°C
JANTX1N6642

JANTX1N6642

DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35

Microchip Technology

6,996
RFQ
JANTX1N6642데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/578 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
1N3881

1N3881

DIODE GEN PURP 200V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

414
RFQ
1N3881데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 200 V 6A 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 15 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
GD20MPS12H

GD20MPS12H

DIODE SIL CARB 1.2KV 39A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

2,961
RFQ
GD20MPS12H데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 39A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 737pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
S4D15120H

S4D15120H

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO247AC

SMC Diode Solutions

634
RFQ
S4D15120H데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 35 µA @ 1200 V 1200pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
STPSC20065WY

STPSC20065WY

DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247

STMicroelectronics

258
RFQ
STPSC20065WY데이터시트 ECOPACK®2 DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.45 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 650 V 1250pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
FFSB3065B

FFSB3065B

DIODE SIL CARB 650V 73A D2PAK-2

onsemi

3,732
RFQ
FFSB3065B데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 73A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 1280pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
IDDD20G65C6XTMA1

IDDD20G65C6XTMA1

DIODE SIL CARB 650V 51A HDSOP-10

Infineon Technologies

606
RFQ
IDDD20G65C6XTMA1데이터시트 CoolSiC™+ 10-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 51A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 67 µA @ 420 V 970pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-HDSOP-10-1 -55°C ~ 175°C
VS-12FR120

VS-12FR120

DIODE GEN PURP 1.2KV 12A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

475
RFQ
VS-12FR120데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1200 V 12A 1.26 V @ 38 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 12 mA @ 1200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
VS-40HF40

VS-40HF40

DIODE GEN PURP 400V 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

221
RFQ
VS-40HF40데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 400 V 40A 1.3 V @ 125 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 400 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 190°C
JANTX1N5554

JANTX1N5554

DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Microchip Technology

118
RFQ
JANTX1N5554데이터시트 - B, Axial Bulk Active Standard 1000 V 5A 1.3 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 2 µA @ 1000 V - Military MIL-PRF-19500/420 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
DSEI60-12A

DSEI60-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 52A TO247AD

IXYS

561
RFQ
DSEI60-12A데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 52A 2.55 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 2.2 mA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
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카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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