단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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JAN1N5617

JAN1N5617

DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Microchip Technology

177
RFQ
JAN1N5617데이터시트 - A, Axial Bulk Active Standard 400 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
DSEP30-06A

DSEP30-06A

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

IXYS

990
RFQ
DSEP30-06A데이터시트 HiPerFRED™ TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 30A 1.6 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 250 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
IDM08G120C5XTMA1

IDM08G120C5XTMA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252-2

Infineon Technologies

1,688
RFQ
IDM08G120C5XTMA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 8A 1.95 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1200 V 365pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-2 -55°C ~ 175°C
DNA30E2200PA

DNA30E2200PA

DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO220AC

IXYS

219
RFQ
DNA30E2200PA데이터시트 - TO-220-2 Tube Active Standard 2200 V 30A 1.26 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 2200 V 7pF @ 700V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
1N5620

1N5620

DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Microchip Technology

300
RFQ
1N5620데이터시트 - A, Axial Bulk Active Standard 800 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 800 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 200°C
STPSC10H065DI

STPSC10H065DI

DIODE SIC 650V 10A TO220AC INS

STMicroelectronics

999
RFQ
STPSC10H065DI데이터시트 - TO-220-2 Insulated, TO-220AC Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.75 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-220AC ins -40°C ~ 175°C
IDW100E60FKSA1

IDW100E60FKSA1

DIODE GP 600V 150A TO247-3-1

Infineon Technologies

388
RFQ
IDW100E60FKSA1데이터시트 - TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 150A 2 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 120 ns 40 µA @ 600 V - - - Through Hole PG-TO247-3-1 -55°C ~ 175°C
C3D06065I

C3D06065I

DIODE SIL CARB 650V 13A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

970
RFQ
C3D06065I데이터시트 Z-Rec® TO-220-2 Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 295pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 Isolated Tab -55°C ~ 175°C
C3D08060A

C3D08060A

DIODE SIL CARB 600V 24A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

357
RFQ
C3D08060A데이터시트 Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 24A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 441pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
1N3611

1N3611

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Microchip Technology

341
RFQ
1N3611데이터시트 - A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 200 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
VS-30EPH06-N3

VS-30EPH06-N3

DIODE GP 600V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,744
RFQ
VS-30EPH06-N3데이터시트 FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 30A 2.6 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 31 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -65°C ~ 175°C
STPSC12065DY

STPSC12065DY

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC

STMicroelectronics

7,548
RFQ
STPSC12065DY데이터시트 ECOPACK®2 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.45 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 750pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
ISL9R3060G2-F085

ISL9R3060G2-F085

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2

onsemi

418
RFQ
ISL9R3060G2-F085데이터시트 Stealth™ TO-247-2 Tube Active Avalanche 600 V 30A 2.4 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 100 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
UJ3D1210TS

UJ3D1210TS

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2

Qorvo

8,990
RFQ
UJ3D1210TS데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 110 µA @ 1200 V 510pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
DLA40IM800PC-TRL

DLA40IM800PC-TRL

DIODE GEN PURP 800V 40A TO263AA

IXYS

1,266
RFQ
DLA40IM800PC-TRL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 40A 1.3 V @ 40 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 800 V 10pF @ 400V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AA -55°C ~ 175°C
IDK08G120C5XTMA1

IDK08G120C5XTMA1

DIODE SIC 1.2KV 22.8A TO263-1

Infineon Technologies

373
RFQ
IDK08G120C5XTMA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 22.8A 1.95 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 40 µA @ 1200 V 365pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2-1 -55°C ~ 175°C
DSI30-16AS-TRL

DSI30-16AS-TRL

DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263AA

IXYS

2,638
RFQ
DSI30-16AS-TRL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1600 V 30A 1.29 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 1600 V 10pF @ 400V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AA -40°C ~ 175°C
DSEP29-12A

DSEP29-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC

IXYS

774
RFQ
DSEP29-12A데이터시트 HiPerFRED™ TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 2.75 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
JANTX1N3611

JANTX1N3611

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Microchip Technology

356
RFQ
JANTX1N3611데이터시트 - A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/228 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
DSEI30-10A

DSEI30-10A

DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247AD

IXYS

445
RFQ
DSEI30-10A데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1000 V 30A 2.4 V @ 36 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 750 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
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카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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