단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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C3D08065E

C3D08065E

DIODE SIL CARB 650V 25.5A TO252

Wolfspeed, Inc.

2,740
RFQ
C3D08065E데이터시트 Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 25.5A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 395pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
IDK10G65C5XTMA2

IDK10G65C5XTMA2

DIODE SIL CARB 650V 10A TO263-2

Infineon Technologies

1,857
RFQ
IDK10G65C5XTMA2데이터시트 CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - 300pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2 -55°C ~ 175°C
STPSC10H12GY-TR

STPSC10H12GY-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK

STMicroelectronics

1,893
RFQ
STPSC10H12GY-TR데이터시트 ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
IDL10G65C5XUMA2

IDL10G65C5XUMA2

DIODE SIL CARB 650V 10A VSON-4

Infineon Technologies

151
RFQ
IDL10G65C5XUMA2데이터시트 CoolSiC™+ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 180 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-VSON-4 -55°C ~ 150°C
VS-65EPS12LHM3

VS-65EPS12LHM3

DIODE GEN PURP 1.2KV 65A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,025
RFQ
VS-65EPS12LHM3데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 65A 1.12 V @ 65 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
STPSC10H12B2-TR

STPSC10H12B2-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A DPAK HV

STMicroelectronics

4,653
RFQ
STPSC10H12B2-TR데이터시트 ECOPACK®2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK HV -40°C ~ 175°C
IDH10G65C5XKSA2

IDH10G65C5XKSA2

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-1

Infineon Technologies

1,046
RFQ
IDH10G65C5XKSA2데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 180 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
STTH6010W

STTH6010W

DIODE GEN PURP 1KV 60A DO247

STMicroelectronics

787
RFQ
STTH6010W데이터시트 - DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1000 V 60A 2 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 115 ns 20 µA @ 1000 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
STPSC12065G2-TR

STPSC12065G2-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK

STMicroelectronics

1,155
RFQ
STPSC12065G2-TR데이터시트 ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.45 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 650 V 750pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
DSEI30-06A

DSEI30-06A

DIODE GEN PURP 600V 37A TO247AD

IXYS

821
RFQ
DSEI30-06A데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 37A 1.6 V @ 37 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
JANTX1N5806

JANTX1N5806

DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL

Microchip Technology

149
RFQ
JANTX1N5806데이터시트 - A, Axial Bulk Active Standard 150 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 150 V 25pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
GD30MPS06A

GD30MPS06A

DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2

GeneSiC Semiconductor

1,744
RFQ
GD30MPS06A데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-220-2 175°C
DNA30EM2200PZ-TRL

DNA30EM2200PZ-TRL

DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263AA

IXYS

1,151
RFQ
DNA30EM2200PZ-TRL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 2200 V 30A 1.26 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 2200 V 7pF @ 700V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AA -55°C ~ 150°C
STPSC10H12G-TR

STPSC10H12G-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK

STMicroelectronics

1,955
RFQ
STPSC10H12G-TR데이터시트 ECOPACK® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
1N5804

1N5804

DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Microchip Technology

299
RFQ
1N5804데이터시트 - A, Axial Bulk Active Standard 100 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 100 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
C3D10065E

C3D10065E

DIODE SIL CARB 650V 32A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

7,911
RFQ
C3D10065E데이터시트 Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 32A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 460.5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C6D10065Q-TR

C6D10065Q-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN

Wolfspeed, Inc.

1,573
RFQ
C6D10065Q-TR데이터시트 - 4-PowerVQFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 39A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 50 µA @ 650 V 611pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount 4-QFN (8x8) -55°C ~ 175°C
C6D10065E

C6D10065E

DIODE SIL CARB 650V 35A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

3,633
RFQ
C6D10065E데이터시트 Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 35A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 611pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
APT60S20SG

APT60S20SG

DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Microchip Technology

187
RFQ
APT60S20SG데이터시트 - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active Schottky 200 V 75A 900 mV @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 1 mA @ 200 V - - - Surface Mount D3PAK -55°C ~ 150°C
VS-HFA15PB60-N3

VS-HFA15PB60-N3

DIODE GP 600V 15A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

194
RFQ
VS-HFA15PB60-N3데이터시트 HEXFRED® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 15A 1.7 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 150°C
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카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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