단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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63SPB100A

63SPB100A

DIODE SCHOTTKY 100V 60A SPD-2A

SMC Diode Solutions

4,833
RFQ
63SPB100A데이터시트 - SPD-2A Bulk Active Schottky 100 V 60A 870 mV @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 100 V 1500pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount SPD-2A -55°C ~ 175°C
STPSC20H12WL

STPSC20H12WL

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A DO247

STMicroelectronics

142
RFQ
STPSC20H12WL데이터시트 ECOPACK®2 DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 1200 V 1650pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
DH60-16A

DH60-16A

DIODE GEN PURP 1.6KV 60A TO247AD

IXYS

892
RFQ
DH60-16A데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 60A 2.04 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 230 ns 200 µA @ 1400 V 32pF @ 1200V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 150°C
VS-HFA30PB120-N3

VS-HFA30PB120-N3

DIODE GP 1.2KV 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

154
RFQ
VS-HFA30PB120-N3데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 4.1 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 170 ns 40 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 150°C
IDWD20G120C5XKSA1

IDWD20G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 62A TO247-2

Infineon Technologies

240
RFQ
IDWD20G120C5XKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 62A 1.65 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 166 µA @ 1200 V 1368pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-2 -55°C ~ 175°C
C4D08120E

C4D08120E

DIODE SIL CARB 1.2KV 24.5A TO252

Wolfspeed, Inc.

863
RFQ
C4D08120E데이터시트 Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 24.5A 3 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 560pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
GD15MPS17H

GD15MPS17H

DIODE SIL CARB 1.7KV 36A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

1,214
RFQ
GD15MPS17H데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 36A 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 1082pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
IDW30G65C5XKSA1

IDW30G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3

Infineon Technologies

931
RFQ
IDW30G65C5XKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 220 µA @ 650 V 860pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3 -55°C ~ 175°C
STPSC20H12G2Y-TR

STPSC20H12G2Y-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK

STMicroelectronics

2,769
RFQ
STPSC20H12G2Y-TR데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 120 µA @ 1200 V 1650pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK HV -40°C ~ 175°C
JANTXV1N5809US

JANTXV1N5809US

DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

166
RFQ
JANTXV1N5809US데이터시트 - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 100 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JANTXV1N5811US

JANTXV1N5811US

DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

148
RFQ
JANTXV1N5811US데이터시트 - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 150 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 150 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
DSDI60-16A

DSDI60-16A

DIODE GEN PURP 1.6KV 63A TO247AD

IXYS

328
RFQ
DSDI60-16A데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 63A 4.1 V @ 70 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 2 mA @ 1600 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
UJ3D06560KSD

UJ3D06560KSD

DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3

Qorvo

6,369
RFQ
UJ3D06560KSD데이터시트 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 740 µA @ 650 V 1980pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
VS-70HFL100S05

VS-70HFL100S05

DIODE GEN PURP 1KV 70A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

244
RFQ
VS-70HFL100S05데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1000 V 70A 1.85 V @ 219.8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 100 µA @ 1000 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -40°C ~ 125°C
VS-85HFR60

VS-85HFR60

DIODE GEN PURP 600V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

120
RFQ
VS-85HFR60데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
JANS1N6642

JANS1N6642

DIODE GEN PURP 75V 300MA DO204AH

Microchip Technology

434
RFQ
JANS1N6642데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/578 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
E4D10120A

E4D10120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

386
RFQ
E4D10120A데이터시트 E-Series TO-220-2 Tube Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 33A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 777pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GD50MPS12H

GD50MPS12H

DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

124
RFQ
GD50MPS12H데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 92A 1.8 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 15 µA @ 1200 V 1835pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
C4D20120H

C4D20120H

DIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO247-2

Wolfspeed, Inc.

410
RFQ
C4D20120H데이터시트 Z-Rec® TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 54A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1500pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
E4D20120G

E4D20120G

DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

2,376
RFQ
E4D20120G데이터시트 E-Series TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 56A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1474pF @ 0V, 1MHz Automotive - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
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카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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