단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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S4D10120A

S4D10120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC

SMC Diode Solutions

260
RFQ
S4D10120A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 772pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC (TO-220-2) -55°C ~ 175°C
VS-3C10ET07S2L-M3

VS-3C10ET07S2L-M3

650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,345
RFQ
VS-3C10ET07S2L-M3데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 55 µA @ 650 V 445pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSP08120A

FFSP08120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO220-2L

onsemi

365
RFQ
FFSP08120A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 8A 1.75 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 538pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
GP3D030A065B

GP3D030A065B

DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-2

SemiQ

142
RFQ
GP3D030A065B데이터시트 Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.65 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 75 µA @ 650 V 1247pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
UJ3D06530TS

UJ3D06530TS

DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2

Qorvo

7,715
RFQ
UJ3D06530TS데이터시트 Gen-III TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 370 µA @ 650 V 990pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
STTH30RQ06L2-TR

STTH30RQ06L2-TR

DIODE GEN PURP 600V 30A HU3PAK

STMicroelectronics

600
RFQ
STTH30RQ06L2-TR데이터시트 - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 30A 2.95 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 40 µA @ 600 V - - - Surface Mount HU3PAK 175°C
SCS220AGC17

SCS220AGC17

DIODE SIC 650V 20A TO220ACFP

Rohm Semiconductor

706
RFQ
SCS220AGC17데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.55 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 600 V 730pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220ACFP 175°C
DSEI36-06AS-TRL

DSEI36-06AS-TRL

DIODE GEN PURP 600V 37A TO263AA

IXYS

2,069
RFQ
DSEI36-06AS-TRL데이터시트 FRED TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 37A 1.6 V @ 37 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 100 µA @ 600 V - - - Surface Mount TO-263AA -40°C ~ 150°C
1N3595UR-1

1N3595UR-1

DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Microchip Technology

624
RFQ
1N3595UR-1데이터시트 - DO-213AA Bulk Active Standard 125 V 150mA 1 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 3 µs 1 nA @ 125 V - - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
IDH10SG60CXKSA2

IDH10SG60CXKSA2

DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-1

Infineon Technologies

330
RFQ
IDH10SG60CXKSA2데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 10A 2.1 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 600 V 290pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
SIC1060PL8-TP

SIC1060PL8-TP

DIODE SIL CARB 650V 10A DFN8080A

Micro Commercial Co

6,000
RFQ
SIC1060PL8-TP데이터시트 - 4-PowerVSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 44 µA @ 650 V 452pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DFN8080A -55°C ~ 175°C
AIDK08S65C5ATMA1

AIDK08S65C5ATMA1

DISCRETE DIODES

Infineon Technologies

188
RFQ
AIDK08S65C5ATMA1데이터시트 CoolSiC™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 248pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-2 -40°C ~ 175°C
SCS206AJHRTLL

SCS206AJHRTLL

DIODE SIL CARB 650V 6A TO263AB

Rohm Semiconductor

2,756
RFQ
SCS206AJHRTLL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.55 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 600 V 219pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB 175°C (Max)
S3D20065A

S3D20065A

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC

SMC Diode Solutions

289
RFQ
S3D20065A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 1200pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC (TO-220-2) -55°C ~ 175°C
SCS310AJTLL

SCS310AJTLL

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A LPTL

Rohm Semiconductor

518
RFQ
SCS310AJTLL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount LPTL 175°C (Max)
APT15DQ120BHBG

APT15DQ120BHBG

DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247-3

Microchip Technology

101
RFQ
APT15DQ120BHBG데이터시트 - TO-247-3 Tube Active Standard 1200 V 15A 3.5 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 240 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
VS-40EPF06-M3

VS-40EPF06-M3

DIODE GP 600V 40A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

478
RFQ
VS-40EPF06-M3데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 40A 1.25 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
STTH6010WY

STTH6010WY

DIODE GEN PURP 1KV 60A DO247

STMicroelectronics

548
RFQ
STTH6010WY데이터시트 Q DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1000 V 60A 2 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 115 ns 20 µA @ 1000 V - Automotive - Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
C3D08065A

C3D08065A

DIODE SIL CARB 650V 24A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

718
RFQ
C3D08065A데이터시트 Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 24A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 441pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
FFSP2065BDN-F085

FFSP2065BDN-F085

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-3

onsemi

180
RFQ
FFSP2065BDN-F085데이터시트 - TO-220-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 421pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-3 -55°C ~ 175°C
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카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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