단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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1N3889R

1N3889R

DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

150
RFQ
1N3889R데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 50 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
SCS210KGC17

SCS210KGC17

DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFP

Rohm Semiconductor

397
RFQ
SCS210KGC17데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 550pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220ACFP 175°C
FFSP4065BDN-F085

FFSP4065BDN-F085

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-3

onsemi

756
RFQ
FFSP4065BDN-F085데이터시트 - TO-220-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-3 -55°C ~ 175°C
C4D10120H

C4D10120H

DIODE SIL CARB 1.2KV 31.5A TO247

Wolfspeed, Inc.

1,226
RFQ
C4D10120H데이터시트 Z-Rec® TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 31.5A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 754pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
SCS220AEGC11

SCS220AEGC11

DIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO247

Rohm Semiconductor

345
RFQ
SCS220AEGC11데이터시트 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.55 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 600 V 730pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247 175°C
FFSH20120A-F085

FFSH20120A-F085

DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2

onsemi

398
RFQ
FFSH20120A-F085데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 30A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1220pF @ 1V, 100KHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
S3D35065D1

S3D35065D1

DIODE SIL CARB 650V 35A TO247AD

SMC Diode Solutions

585
RFQ
S3D35065D1데이터시트 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 35A 1.7 V @ 35 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 45 µA @ 650 V 2000pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
DHG30IM600PC-TUB

DHG30IM600PC-TUB

DIODE GEN PURP 600V 30A TO263

IXYS

1,361
RFQ
DHG30IM600PC-TUB데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 600 V 30A 2.26 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 50 µA @ 600 V 16pF @ 400V, 1MHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 150°C
VS-3C20ET07S2L-M3

VS-3C20ET07S2L-M3

650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

565
RFQ
VS-3C20ET07S2L-M3데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 845pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
SCS215AJHRTLL

SCS215AJHRTLL

DIODE SIL CARB 650V 15A TO263AB

Rohm Semiconductor

2,008
RFQ
SCS215AJHRTLL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 15A 1.55 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 600 V 550pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB 175°C (Max)
MSC020SDA120K

MSC020SDA120K

DIODE SIL CARB 1.2KV 49A TO220-2

Microchip Technology

105
RFQ
MSC020SDA120K데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 49A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1130pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
VS-80APF10-M3

VS-80APF10-M3

DIODE GEN PURP 1KV 80A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

475
RFQ
VS-80APF10-M3데이터시트 - TO-247-3 Tube Active Standard 1000 V 80A 1.35 V @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
DHG30I600HA

DHG30I600HA

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

IXYS

296
RFQ
DHG30I600HA데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 30A 2.36 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 150°C
FFSH20120ADN-F085

FFSH20120ADN-F085

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO247-3

onsemi

304
RFQ
FFSH20120ADN-F085데이터시트 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 612pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
FFSH4065BDN-F085

FFSH4065BDN-F085

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3

onsemi

140
RFQ
FFSH4065BDN-F085데이터시트 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
LSIC2SD065D20A

LSIC2SD065D20A

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC

Littelfuse Inc.

742
RFQ
LSIC2SD065D20A데이터시트 Gen2 TO-220-2 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.5 V @ 45 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-220AC -
S5D40120D

S5D40120D

1200V, 40A, TO-247AD, SIC SCHOTT

SMC Diode Solutions

1,800
RFQ
S5D40120D데이터시트 - TO-247-3 Tube Active - - - - - - - - - - Through Hole TO-247AD -
SCS220AJHRTLL

SCS220AJHRTLL

DIODE SIL CARB 650V 20A TO263AB

Rohm Semiconductor

2,697
RFQ
SCS220AJHRTLL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.55 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 600 V 730pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB 175°C (Max)
C4D15120H

C4D15120H

DIODE SIL CARB 1.2KV 39A TO247-2

Wolfspeed, Inc.

420
RFQ
C4D15120H데이터시트 Z-Rec® TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 39A 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1200pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
FFSB20120A-F085

FFSB20120A-F085

DIODE SIL CARB 1.2KV 32A D2PAK

onsemi

2,137
RFQ
FFSB20120A-F085데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 32A 1.75 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1220pF @ 1V, 100KHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
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카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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