단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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LSIC2SD065D10A

LSIC2SD065D10A

DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263

Littelfuse Inc.

499
RFQ
LSIC2SD065D10A데이터시트 GEN2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 27A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 470pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
S3D20065H

S3D20065H

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247AC

SMC Diode Solutions

420
RFQ
S3D20065H데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 1200pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
AIDK12S65C5ATMA1

AIDK12S65C5ATMA1

DISCRETE DIODES

Infineon Technologies

757
RFQ
AIDK12S65C5ATMA1데이터시트 CoolSiC™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 70 µA @ 650 V 363pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-2 -40°C ~ 175°C
DUR6060W

DUR6060W

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC

Littelfuse Inc.

193
RFQ
DUR6060W데이터시트 DUR TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 2 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 150°C
STPSC15H12WL

STPSC15H12WL

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A DO247

STMicroelectronics

982
RFQ
STPSC15H12WL데이터시트 ECOPACK®2 DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.5 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 1200 V 1200pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
MSC030SDA070K

MSC030SDA070K

DIODE SIL CARB 700V 30A TO220-2

Microchip Technology

119
RFQ
MSC030SDA070K데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 700 V 30A 1.5 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-220-2 -
MSC015SDA120B

MSC015SDA120B

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO247

Microchip Technology

134
RFQ
MSC015SDA120B데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.5 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-247 -
VS-3C12ET07S2L-M3

VS-3C12ET07S2L-M3

650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,557
RFQ
VS-3C12ET07S2L-M3데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.5 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 65 µA @ 650 V 535pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
S4D10120E

S4D10120E

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A DPAK

SMC Diode Solutions

1,286
RFQ
S4D10120E데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 772pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
SCS312AJTLL

SCS312AJTLL

DIODE SIL CARBIDE 650V 12A LPTL

Rohm Semiconductor

849
RFQ
SCS312AJTLL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.5 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 600pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount LPTL 175°C (Max)
RFL30TZ6SGC13

RFL30TZ6SGC13

DIODE GEN PURP 650V 30A TO247GE

Rohm Semiconductor

624
RFQ
RFL30TZ6SGC13데이터시트 - TO-247-2 Tube Not For New Designs Standard 650 V 30A 1.5 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 5 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-247GE 175°C
S4D15120A

S4D15120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220AC

SMC Diode Solutions

192
RFQ
S4D15120A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 35 µA @ 1200 V 1200pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC (TO-220-2) -55°C ~ 175°C
IDW16G65C5XKSA1

IDW16G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3

Infineon Technologies

257
RFQ
IDW16G65C5XKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.7 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 470pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3 -55°C ~ 175°C
SCS208AJHRTLL

SCS208AJHRTLL

DIODE SIL CARB 650V 8A TO263AB

Rohm Semiconductor

932
RFQ
SCS208AJHRTLL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.55 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 160 µA @ 600 V 291pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB 175°C (Max)
NDSH20120C

NDSH20120C

DIODE SIL CARB 1.2KV 26A TO247-2

onsemi

664
RFQ
NDSH20120C데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 26A 1.75 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1480pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
1N3881R

1N3881R

DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

512
RFQ
1N3881R데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 6A 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 15 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
1N3879R

1N3879R

DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

236
RFQ
1N3879R데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 50 V 6A 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 15 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FFSB2065B-F085

FFSB2065B-F085

DIODE SIL CARB 650V 20A D2PAK-3

onsemi

678
RFQ
FFSB2065B-F085데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
JANTX1N3595UR-1

JANTX1N3595UR-1

DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Microchip Technology

141
RFQ
JANTX1N3595UR-1데이터시트 - DO-213AA Bulk Active Standard 125 V 150mA 920 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 3 µs 1 nA @ 125 V - Military MIL-S-19500-241 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
DSEP30-12AR

DSEP30-12AR

DIODE GP 1.2KV 30A ISOPLUS247

IXYS

264
RFQ
DSEP30-12AR데이터시트 HiPerFRED™ TO-247-3 Tube Active Standard 1200 V 30A 2.74 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole ISOPLUS247™ -55°C ~ 175°C
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카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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