단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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FFSP1065B-F085

FFSP1065B-F085

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2

onsemi

789
RFQ
FFSP1065B-F085데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 421pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
VS-E5TX3012S2LHM3

VS-E5TX3012S2LHM3

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,582
RFQ
VS-E5TX3012S2LHM3데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 30A 3.3 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 80 ns 50 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
VS-20ETF08-M3

VS-20ETF08-M3

DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,984
RFQ
VS-20ETF08-M3데이터시트 - TO-220-2 Tube Active Standard 800 V 20A 1.3 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 95 ns 100 µA @ 800 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
RFN20NS3STL

RFN20NS3STL

DIODE GEN PURP 350V 20A LPDS

Rohm Semiconductor

784
RFQ
RFN20NS3STL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 350 V 20A 1.35 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 350 V - - - Surface Mount LPDS 150°C
C3D06065A

C3D06065A

DIODE SIL CARB 650V 19A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

839
RFQ
C3D06065A데이터시트 Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 19A 1.8 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 294pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
STPSC8H065D

STPSC8H065D

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC

STMicroelectronics

794
RFQ
STPSC8H065D데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.75 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 650 V 414pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
STTH30M06SPF

STTH30M06SPF

DIODE GEN PURP 600V 30A TO3PF

STMicroelectronics

876
RFQ
STTH30M06SPF데이터시트 - TO-3P-3 Full Pack Tube Active Standard 600 V 30A 3.8 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 60 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-3PF 175°C (Max)
RFS30TZ6SGC13

RFS30TZ6SGC13

DIODE GEN PURP 650V 30A TO247GE

Rohm Semiconductor

584
RFQ
RFS30TZ6SGC13데이터시트 - TO-247-2 Tube Not For New Designs Standard 650 V 30A 2.3 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 5 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-247GE 175°C
FFSD0865B-F085

FFSD0865B-F085

DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK

onsemi

3,693
RFQ
FFSD0865B-F085데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 11.6A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 336pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
STTH30R04DY

STTH30R04DY

DIODE GEN PURP 400V 30A TO220AC

STMicroelectronics

772
RFQ
STTH30R04DY데이터시트 - TO-220-2 Tube Active Standard 400 V 30A 1.55 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 15 µA @ 400 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
S3D10065F

S3D10065F

DIODE SIL CARB 650V 10A ITO220AC

SMC Diode Solutions

285
RFQ
S3D10065F데이터시트 - TO-220-2 Full Pack Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 621pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC (TO-220-2F) -55°C ~ 175°C
FFSM0665B

FFSM0665B

DIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFN

onsemi

2,980
RFQ
FFSM0665B데이터시트 - 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 9.1A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 259pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
VS-E5TH3006S2LHM3

VS-E5TH3006S2LHM3

30A, 600V, "H" SERIES GEN 5 FRED

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

789
RFQ
VS-E5TH3006S2LHM3데이터시트 FRED Pt® G5 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 30A 1.6 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 46 ns 20 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
S4D05120G

S4D05120G

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A D2PAK

SMC Diode Solutions

702
RFQ
S4D05120G데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 302pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -55°C ~ 175°C
VS-3C10ET07T-M3

VS-3C10ET07T-M3

650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,047
RFQ
VS-3C10ET07T-M3데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 55 µA @ 650 V 445pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
FFSP0865A

FFSP0865A

DIODE SIL CARB 650V 13A TO220-2

onsemi

790
RFQ
FFSP0865A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13A 1.75 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 463pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
VS-E5PH3012L-N3

VS-E5PH3012L-N3

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

243
RFQ
VS-E5PH3012L-N3데이터시트 FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 2.3 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 113 ns 50 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
UCHD30A09-TE24L2

UCHD30A09-TE24L2

DIODE SCHOTTKY 90V 30A TO263LP

KYOCERA AVX

2,000
RFQ
UCHD30A09-TE24L2데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Schottky 90 V 30A 790 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 90 V - - - Surface Mount TO-263LP -40°C ~ 150°C
VS-EPX6007L-N3

VS-EPX6007L-N3

DIODE GEN PURP 650V 60A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

495
RFQ
VS-EPX6007L-N3데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 650 V 60A 2.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 42 ns 30 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-E5PX3012L-N3

VS-E5PX3012L-N3

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

372
RFQ
VS-E5PX3012L-N3데이터시트 FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 3.15 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 50 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
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카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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