단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

전체 초기화
전체 적용
결과
사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
VS-E5TX3012S2L-M3

VS-E5TX3012S2L-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,540
RFQ
VS-E5TX3012S2L-M3데이터시트 FRED Pt® G5 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 30A 3.3 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 50 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
S3D08065A

S3D08065A

DIODE SIL CARB 650V 23A TO220AC

SMC Diode Solutions

1,438
RFQ
S3D08065A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 51 µA @ 650 V 661pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
FFSP1065B

FFSP1065B

DIODE SIL CARB 650V 11A TO220-2

onsemi

628
RFQ
FFSP1065B데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 11A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 421pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
VS-EPU6006-N3

VS-EPU6006-N3

DIODE GP 600V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

475
RFQ
VS-EPU6006-N3데이터시트 FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 1.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 110 ns 30 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -65°C ~ 175°C
IDL06G65C5XUMA2

IDL06G65C5XUMA2

DIODE SIL CARBIDE 650V 6A VSON-4

Infineon Technologies

2,908
RFQ
IDL06G65C5XUMA2데이터시트 CoolSiC™+ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 110 µA @ 650 V 190pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-VSON-4 -55°C ~ 150°C
FFSP0665A

FFSP0665A

DIODE SIL CARB 650V 8.8A TO220L

onsemi

688
RFQ
FFSP0665A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8.8A 1.75 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 361pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
DSI30-12AS-TUB

DSI30-12AS-TUB

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AA

IXYS

1,195
RFQ
DSI30-12AS-TUB데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 1200 V 30A 1.29 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 1200 V 10pF @ 400V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AA -40°C ~ 175°C
FFSD0865B

FFSD0865B

DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK

onsemi

148
RFQ
FFSD0865B데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 11.6A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 336pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
SCS302AJTLL

SCS302AJTLL

DIODE SIL CARB 650V 2.15A LPTL

Rohm Semiconductor

499
RFQ
SCS302AJTLL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 2.15A 1.5 V @ 2.15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10.8 µA @ 650 V 110pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount LPTL 175°C (Max)
VS-10ETF10FP-M3

VS-10ETF10FP-M3

DIODE GP 1KV 10A TO220-2FP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

442
RFQ
VS-10ETF10FP-M3데이터시트 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 1000 V 10A 1.33 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 310 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-220-2 Full Pack -40°C ~ 150°C
VS-E5TH2112S2LHM3

VS-E5TH2112S2LHM3

20A, 1200V, "H" SERIES GEN 5 FRE

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

850
RFQ
VS-E5TH2112S2LHM3데이터시트 FRED Pt® G5 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 20A 2.66 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 125 ns 50 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
VS-E5PH3006LHN3

VS-E5PH3006LHN3

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

878
RFQ
VS-E5PH3006LHN3데이터시트 FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 30A 1.6 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 46 ns 20 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-E5PX3006LHN3

VS-E5PX3006LHN3

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

490
RFQ
VS-E5PX3006LHN3데이터시트 FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 30A 2.1 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 41 ns 20 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
APT40DQ120SG

APT40DQ120SG

DIODE GEN PURP 1.2KV 40A D3PAK

Microchip Technology

958
RFQ
APT40DQ120SG데이터시트 - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active Standard 1200 V 40A 3.4 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 350 ns 100 µA @ 1200 V - - - Surface Mount D3PAK -55°C ~ 175°C
VS-E5TH1512S2LHM3

VS-E5TH1512S2LHM3

DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

815
RFQ
VS-E5TH1512S2LHM3데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 15A 2.5 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 95 ns 50 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
VS-E5PH6006L-N3

VS-E5PH6006L-N3

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

705
RFQ
VS-E5PH6006L-N3데이터시트 FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 1.7 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 54 ns 25 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
S4D04120E

S4D04120E

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 4A DPAK

SMC Diode Solutions

1,787
RFQ
S4D04120E데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 4A 1.8 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 302pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
VS-E5PW6006LHN3

VS-E5PW6006LHN3

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,535
RFQ
VS-E5PW6006LHN3데이터시트 FRED Pt® Gen 5 TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 60A 2.6 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 42 ns 25 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
RFN20TJ6SFHGC9

RFN20TJ6SFHGC9

DIODE GP 600V 20A TO220ACFP

Rohm Semiconductor

978
RFQ
RFN20TJ6SFHGC9데이터시트 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 20A 1.55 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 140 ns 10 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220ACFP 150°C
UJ3D06516TS

UJ3D06516TS

DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2

Qorvo

938
RFQ
UJ3D06516TS데이터시트 Gen-III TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.7 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
Total 47618 Record«Prev1... 402403404405406407408409...2381Next»

카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

Masstock Electronics

검색

Masstock Electronics

제품

Masstock Electronics

전화

Masstock Electronics

사용자

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics