단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
GB05MPS17-263

GB05MPS17-263

DIODE SIL CARB 1.7KV 18A TO263-7

GeneSiC Semiconductor

2,207
RFQ
GB05MPS17-263데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 18A - No Recovery Time > 500mA (Io) - - 470pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-7 -55°C ~ 175°C
1N3889

1N3889

DIODE GEN PURP 50V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

6,429
RFQ
1N3889데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 50 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
1N3890

1N3890

DIODE GEN PURP 100V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

2,050
RFQ
1N3890데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 100 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
1N3893

1N3893

DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

4,963
RFQ
1N3893데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 600 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR12B05

FR12B05

DIODE GEN PURP 100V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

8,667
RFQ
FR12B05데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 100 V 12A 800 mV @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR12D05

FR12D05

DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

2,447
RFQ
FR12D05데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 200 V 12A 800 mV @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR12G05

FR12G05

DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

8,235
RFQ
FR12G05데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 400 V 12A 800 mV @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR12J05

FR12J05

DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

7,834
RFQ
FR12J05데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 600 V 12A 800 mV @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
1N3890R

1N3890R

DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

2,038
RFQ
1N3890R데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
1N3891R

1N3891R

DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

7,163
RFQ
1N3891R데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
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