단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
S25MR

S25MR

DIODE GEN PURP 1KV 25A DO220AA

GeneSiC Semiconductor

7,691
RFQ
S25MR데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 25A 1.1 V @ 25 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount - -65°C ~ 175°C
S25Q

S25Q

DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO203AA

GeneSiC Semiconductor

8,868
RFQ
S25Q데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1200 V 25A 1.1 V @ 25 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount - -65°C ~ 175°C
S25QR

S25QR

DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO220AA

GeneSiC Semiconductor

3,266
RFQ
S25QR데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1200 V 25A 1.1 V @ 25 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount - -65°C ~ 175°C
FR6KR05

FR6KR05

DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

4,582
RFQ
FR6KR05데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 6A 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR6MR05

FR6MR05

DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

8,656
RFQ
FR6MR05데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 6A 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
GC15MPS12-220

GC15MPS12-220

DIODE SIL CARB 1.2KV 82A TO220-2

GeneSiC Semiconductor

9,148
RFQ
GC15MPS12-220데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 82A 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 14 µA @ 1200 V 1089pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GC10MPS12-252

GC10MPS12-252

DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO252-2

GeneSiC Semiconductor

5,200
RFQ
GC10MPS12-252데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 50A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 660pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
GB10SLT12-252

GB10SLT12-252

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252

GeneSiC Semiconductor

6,387
RFQ
GB10SLT12-252데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 2 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 520pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 -55°C ~ 175°C
GB05MPS17-247

GB05MPS17-247

DIODE SIL CARB 1.7KV 25A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

5,897
RFQ
GB05MPS17-247데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 25A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 6 µA @ 1700 V 334pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GC15MPS12-247

GC15MPS12-247

DIODE SIL CARB 1.2KV 75A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

2,366
RFQ
GC15MPS12-247데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 75A 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 14 µA @ 1200 V 1089pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
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