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제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
FR305BULK

FR305BULK

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

7,000
RFQ
FR305BULK데이터시트 - DO-201AD, Axial Bag Active Standard 600 V 3A 1.3 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 10 µA @ 600 V 60pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
HER104BULK

HER104BULK

DIODE GEN PURP 300V 1A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

9,500
RFQ
HER104BULK데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Standard 300 V 1A 1.1 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 300 V 50pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 150°C
BY399

BY399

DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

3,500
RFQ
BY399데이터시트 - DO-201AD, Axial Bag Active Standard 800 V 3A 1.25 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 10 µA @ 800 V 60pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
SR1R

SR1R

DIODE GEN PURP 2KV 500MA SMA

EIC SEMICONDUCTOR INC.

15,000
RFQ
SR1R데이터시트 - DO-214AC, SMA Tape & Reel (TR) Active Standard 2000 V 500mA 3 V @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 5 µA @ 2000 V 5pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount SMA -40°C ~ 150°C
BY255

BY255

DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000
RFQ
BY255데이터시트 - DO-201AD, Axial Bag Active Standard 1300 V 3A 1.1 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 1300 V 50pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 175°C
RGP02-20E-BULK

RGP02-20E-BULK

DIODE GEN PURP 2KV 500MA DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

2,400
RFQ
RGP02-20E-BULK데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Standard 2000 V 500mA 1.8 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 5 µA @ 2000 V 5pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 150°C
AR3504

AR3504

DIODE GP 400V 35A MICRODE BUTTON

EIC SEMICONDUCTOR INC.

1,500
RFQ
AR3504데이터시트 - Microde Button Bag Active Standard 400 V 35A 1.1 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 400 V - Automotive - Surface Mount Microde Button -65°C ~ 175°C
10A07H

10A07H

DIODE GEN PURP 1KV 10A D6

EIC SEMICONDUCTOR INC.

32,000
RFQ
10A07H데이터시트 - D-6, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 1000 V 10A 1 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1000 V 80pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole D6 -65°C ~ 150°C
1N5822T/R

1N5822T/R

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

2,500
RFQ
1N5822T/R데이터시트 - DO-201AD, Axial Tape & Reel (TR) Active Schottky 40 V 3A 525 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 40 V - - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 125°C
MBRA210L

MBRA210L

DIODE SCHOTTKY 10V 2A SMA

EIC SEMICONDUCTOR INC.

50,000
RFQ
MBRA210L데이터시트 - DO-214AC, SMA Bag Active Schottky 10 V 2A 350 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 700 µA @ 10 V - - - Surface Mount DO-214AC (SMA) -65°C ~ 150°C
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