단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
FR302T/R

FR302T/R

DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

2,500
RFQ
FR302T/R데이터시트 - DO-201AD, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 3A 1.3 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 10 µA @ 100 V 60pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
FR304T/R

FR304T/R

DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

3,750
RFQ
FR304T/R데이터시트 - DO-201AD, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 3A 1.3 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 10 µA @ 400 V 60pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
SB390

SB390

SCHOTTKY DO201 90V 3A 150C

EIC SEMICONDUCTOR INC.

7,500
RFQ
SB390데이터시트 - DO-201AD, Axial Tape & Reel (TR) Active Schottky 90 V 3A 790 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 500 V - - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
RGP02-16E-T/R

RGP02-16E-T/R

DIODE GEN PURP 1.6KV 500MA DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

100,000
RFQ
RGP02-16E-T/R데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 1600 V 500mA 1.8 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 5 µA @ 1600 V 5pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 150°C
FR307T/R

FR307T/R

DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

7,500
RFQ
FR307T/R데이터시트 - DO-201AD, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 1000 V 3A 1.3 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 10 µA @ 1000 V 60pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
1N5406BULK

1N5406BULK

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

25,500
RFQ
1N5406BULK데이터시트 - DO-201AD, Axial Bag Active Standard 600 V 3A 950 mV @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 600 V 28pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 175°C
1N5391BULK

1N5391BULK

DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

19,500
RFQ
1N5391BULK데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bag Active Standard 50 V 1.5A 1.1 V @ 1.5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 50 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 175°C
1N4007

1N4007

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

15,000
RFQ
1N4007데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Box Active Standard 1000 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 5 µA @ 1000 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 175°C
1N4004T/R

1N4004T/R

DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

EIC SEMICONDUCTOR INC.

5,000
RFQ
1N4004T/R데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 5 µA @ 400 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 175°C
FR301BULK

FR301BULK

DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

EIC SEMICONDUCTOR INC.

7,000
RFQ
FR301BULK데이터시트 - DO-201AD, Axial Bag Active Standard 50 V 3A 1.3 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 10 µA @ 50 V 60pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
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