단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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DH40-18A

DH40-18A

DIODE GEN PURP 1.8KV 40A TO247AD

IXYS

406
RFQ
DH40-18A데이터시트 SONIC-FRD™ TO-247-2 Tube Active Standard 1800 V 40A 2.7 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 100 µA @ 1800 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
JAN1N5819UR-1

JAN1N5819UR-1

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Microchip Technology

175
RFQ
JAN1N5819UR-1데이터시트 - DO-213AB, MELF (Glass) Bulk Active Schottky 45 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/586 Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) -65°C ~ 125°C
1N5809US

1N5809US

DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

629
RFQ
1N5809US데이터시트 - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 100 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V 60pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
IDH20G65C5XKSA2

IDH20G65C5XKSA2

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-1

Infineon Technologies

864
RFQ
IDH20G65C5XKSA2데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 210 µA @ 650 V 590pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
JANTX1N5811US

JANTX1N5811US

DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

116
RFQ
JANTX1N5811US데이터시트 - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 150 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 150 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
GD10MPS17H

GD10MPS17H

DIODE SIL CARB 1.7KV 26A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

780
RFQ
GD10MPS17H데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 26A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 721pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
1N5819UR-1

1N5819UR-1

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Microchip Technology

376
RFQ
1N5819UR-1데이터시트 - DO-213AB, MELF (Glass) Bulk Active Schottky 45 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) -65°C ~ 150°C
IDW20G65C5XKSA1

IDW20G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3

Infineon Technologies

270
RFQ
IDW20G65C5XKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 210 µA @ 650 V 590pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3-41 -55°C ~ 175°C
1N5554

1N5554

DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Microchip Technology

218
RFQ
1N5554데이터시트 - B, Axial Bulk Active Standard 1000 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 1000 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
C4D10120A

C4D10120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

469
RFQ
C4D10120A데이터시트 Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 33A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 754pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
IDH20G120C5XKSA1

IDH20G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO220-1

Infineon Technologies

974
RFQ
IDH20G120C5XKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 56A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 123 µA @ 1200 V 1050pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
IDK20G120C5XTMA1

IDK20G120C5XTMA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO263-1

Infineon Technologies

1,079
RFQ
IDK20G120C5XTMA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 56A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 123 µA @ 1200 V 1050pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2-1 -55°C ~ 175°C
STPSC20H12G-TR

STPSC20H12G-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK

STMicroelectronics

4,630
RFQ
STPSC20H12G-TR데이터시트 ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 1200 V 1650pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
1N5711UR-1

1N5711UR-1

DIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO213AA

Microchip Technology

223
RFQ
1N5711UR-1데이터시트 - DO-213AA Bulk Active Schottky 50 V 33mA 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
GD60MPS06H

GD60MPS06H

DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

849
RFQ
GD60MPS06H데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 82A 1.8 V @ 60 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 650 V 1463pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
STPSC20H12GY-TR

STPSC20H12GY-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK

STMicroelectronics

1,492
RFQ
STPSC20H12GY-TR데이터시트 ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 1200 V 1650pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
GAP3SLT33-214

GAP3SLT33-214

DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA

GeneSiC Semiconductor

6,598
RFQ
GAP3SLT33-214데이터시트 SiC Schottky MPS™ DO-214AA, SMB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 3300 V 300mA 2.2 V @ 300 mA - 0 ns 10 µA @ 3300 V 42pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount DO-214AA -55°C ~ 175°C
JANTX1N5711UR-1

JANTX1N5711UR-1

DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Microchip Technology

207
RFQ
JANTX1N5711UR-1데이터시트 - DO-213AA Bulk Active Schottky 70 V 33mA 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 100 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
DSEI120-06A

DSEI120-06A

DIODE GEN PURP 600V 77A TO247AD

IXYS

653
RFQ
DSEI120-06A데이터시트 FRED TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 77A 1.3 V @ 70 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 3 mA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
123SPC100A

123SPC100A

DIODE SCHOTTKY 100V 120A SPD-3A

SMC Diode Solutions

1,569
RFQ
123SPC100A데이터시트 - SPD-3A Bulk Active Schottky 100 V 120A 870 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 100 V 3000pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount SPD-3A -55°C ~ 175°C
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카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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