단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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VS-30EPH03-N3

VS-30EPH03-N3

DIODE GP 300V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

973
RFQ
VS-30EPH03-N3데이터시트 FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 300 V 30A 1.25 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 38 ns 60 µA @ 300 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -65°C ~ 175°C
GP3D005A170B

GP3D005A170B

DIODE SIL CARB 1.7KV 21A TO247-2

SemiQ

1,517
RFQ
GP3D005A170B데이터시트 Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 21A 1.65 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 347pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
RHRG5060-F085

RHRG5060-F085

DIODE GEN PURP 600V 50A TO247-2

onsemi

294
RFQ
RHRG5060-F085데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Avalanche 600 V 50A 2.1 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 250 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
VS-65EPS16LHM3

VS-65EPS16LHM3

DIODE GEN PURP 1.6KV 65A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

350
RFQ
VS-65EPS16LHM3데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 65A 1.17 V @ 65 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
STPSC20065GY-TR

STPSC20065GY-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK

STMicroelectronics

1,785
RFQ
STPSC20065GY-TR데이터시트 ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.45 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 600 V 1250pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
1N6642US

1N6642US

DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D

Microchip Technology

1,066
RFQ
1N6642US데이터시트 - SQ-MELF, D Bulk Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
1N6642U

1N6642U

DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D

Microsemi Corporation

445
RFQ
1N6642U데이터시트 - SQ-MELF, D Bulk Active Standard 75 V 300mA 800 mV @ 10 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 µA @ 75 V - - - Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
CDLL5819/TR

CDLL5819/TR

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AA

Microchip Technology

256
RFQ
CDLL5819/TR데이터시트 - DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 125°C
IDDD16G65C6XTMA1

IDDD16G65C6XTMA1

DIODE SIL CARB 650V 43A HDSOP-10

Infineon Technologies

4,841
RFQ
IDDD16G65C6XTMA1데이터시트 CoolSiC™+ 10-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 43A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 53 µA @ 420 V 783pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-HDSOP-10-1 -55°C ~ 175°C
IDH16G65C6XKSA1

IDH16G65C6XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 34A TO220-2

Infineon Technologies

3,011
RFQ
IDH16G65C6XKSA1데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 34A 1.35 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 53 µA @ 420 V 783pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
1N5418

1N5418

DIODE GEN PURP 400V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

384
RFQ
1N5418데이터시트 - B, Axial Bulk Active Standard 400 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 400 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N5809

1N5809

DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Microchip Technology

210
RFQ
1N5809데이터시트 - B, Axial Bulk Active Standard 100 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V 60pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JANTX1N5711-1

JANTX1N5711-1

DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Microchip Technology

132
RFQ
JANTX1N5711-1데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 70 V 33mA 410 mV @ 1 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
VS-60EPS16-M3

VS-60EPS16-M3

DIODE GP 1.6KV 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

668
RFQ
VS-60EPS16-M3데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 60A 1.15 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
1N5811US

1N5811US

DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

815
RFQ
1N5811US데이터시트 - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 150 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 50 V 60pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
DSEI60-02A

DSEI60-02A

DIODE GEN PURP 200V 69A TO247AD

IXYS

137
RFQ
DSEI60-02A데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 200 V 69A 1.08 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 50 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
1N6638US

1N6638US

DIODE GEN PURP 125V 300MA D-5D

Microchip Technology

541
RFQ
1N6638US데이터시트 - SQ-MELF, D Bulk Active Standard 125 V 300mA 1.1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4.5 ns 500 nA @ 125 V 2.5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
C4D10120E

C4D10120E

DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

5,722
RFQ
C4D10120E데이터시트 Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 33A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 754pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
IDH20G65C6XKSA1

IDH20G65C6XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 41A TO220-2

Infineon Technologies

1,342
RFQ
IDH20G65C6XKSA1데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 41A 1.35 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 67 µA @ 420 V 970pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
C4D08120A

C4D08120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 24.5A TO220

Wolfspeed, Inc.

711
RFQ
C4D08120A데이터시트 Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 24.5A 1.8 V @ 7.5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 1200 V 560pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
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카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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