단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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DSEI20-12A

DSEI20-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 17A TO220AC

IXYS

846
RFQ
DSEI20-12A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 17A 2.15 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 750 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
IDH10G65C6XKSA1

IDH10G65C6XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 24A TO220-2

Infineon Technologies

869
RFQ
IDH10G65C6XKSA1데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 24A 1.35 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 33 µA @ 420 V 495pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2 -55°C ~ 175°C
IDW75D65D1XKSA1

IDW75D65D1XKSA1

DIODE GEN PURP 650V 150A TO247-3

Infineon Technologies

2,129
RFQ
IDW75D65D1XKSA1데이터시트 - TO-247-3 Tube Active Standard 650 V 150A 1.7 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 108 ns 40 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-3 -40°C ~ 175°C
JANTX1N5615

JANTX1N5615

DIODE GEN PURP 200V 1A A-PAK

Microchip Technology

2,371
RFQ
JANTX1N5615데이터시트 - A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 200 V 45pF @ 12V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
C3D10060A

C3D10060A

DIODE SIL CARB 600V 30A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

1,991
RFQ
C3D10060A데이터시트 Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 30A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 480pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
C3D10060G

C3D10060G

DIODE SIL CARB 600V 29A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

1,068
RFQ
C3D10060G데이터시트 Z-Rec® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 29A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 480pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
IDM10G120C5XTMA1

IDM10G120C5XTMA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 38A TO252-2

Infineon Technologies

4,234
RFQ
IDM10G120C5XTMA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 38A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 62 µA @ 12 V 29pF @ 800V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-2 -55°C ~ 150°C
GD05MPS17J-TR

GD05MPS17J-TR

1700V 5A TO-247-2 SIC SCHOTTKY M

GeneSiC Semiconductor

1,286
RFQ
GD05MPS17J-TR데이터시트 - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 15A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 361pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-7 -55°C ~ 175°C
GD05MPS17H

GD05MPS17H

DIODE SIL CARB 1.7KV 15A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

993
RFQ
GD05MPS17H데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 15A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 361pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
VS-90EPS12L-M3

VS-90EPS12L-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 90A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

862
RFQ
VS-90EPS12L-M3데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 90A 1.2 V @ 90 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
RURG5060-F085

RURG5060-F085

DIODE GEN PURP 600V 50A TO247-2

onsemi

387
RFQ
RURG5060-F085데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Avalanche 600 V 50A 1.6 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 250 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
1N5552

1N5552

DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Microchip Technology

911
RFQ
1N5552데이터시트 - B, Axial Bulk Active Standard 600 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 600 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
C4D05120E

C4D05120E

DIODE SIL CARB 1.2KV 19A TO252-2

Wolfspeed, Inc.

3,241
RFQ
C4D05120E데이터시트 Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 19A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 1200 V 390pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
C4D05120A

C4D05120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 19A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

587
RFQ
C4D05120A데이터시트 Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 19A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 1200 V 390pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
APT100S20BG

APT100S20BG

DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Microchip Technology

3,777
RFQ
APT100S20BG데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Schottky 200 V 120A 950 mV @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 70 ns 2 mA @ 200 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 150°C
DSEP30-12A

DSEP30-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AD

IXYS

5,978
RFQ
DSEP30-12A데이터시트 HiPerFRED™ TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 2.74 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
VS-90EPS16L-M3

VS-90EPS16L-M3

DIODE GEN PURP 1.6KV 90A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

435
RFQ
VS-90EPS16L-M3데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1600 V 90A 1.21 V @ 90 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1600 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
1N5712

1N5712

DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35

Microchip Technology

529
RFQ
1N5712데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 20 V 75mA 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 150 nA @ 16 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
IDH10G120C5XKSA1

IDH10G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-1

Infineon Technologies

1,175
RFQ
IDH10G120C5XKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 62 µA @ 1200 V 525pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
1N5806US

1N5806US

DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A

Microchip Technology

72,209
RFQ
1N5806US데이터시트 - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 150 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 150 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
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카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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