단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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DSEP90-12AZ-TUB

DSEP90-12AZ-TUB

DIODE GEN PURP 1.2KV 90A TO268AA

IXYS

156
RFQ
DSEP90-12AZ-TUB데이터시트 - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active Standard 1200 V 90A 2.69 V @ 90 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 1 mA @ 1200 V 48pF @ 600V, 1MHz - - Surface Mount TO-268AA (D3Pak-HV) -55°C ~ 175°C
VS-88HF80

VS-88HF80

DIODE GEN PURP 800V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

152
RFQ
VS-88HF80데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 800 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
1N2130AR

1N2130AR

DIODE GEN PURP REV 150V 60A DO5

GeneSiC Semiconductor

245
RFQ
1N2130AR데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 150 V 60A 1.1 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 200°C
MSC020SDA120S

MSC020SDA120S

DIODE SIL CARB 1.2KV 49A D3PAK

Microchip Technology

869
RFQ
MSC020SDA120S데이터시트 - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 49A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1130pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount D3PAK -55°C ~ 175°C
VS-85HFR80

VS-85HFR80

DIODE GEN PURP 800V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

300
RFQ
VS-85HFR80데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
STPSC40065CWY

STPSC40065CWY

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3

STMicroelectronics

207
RFQ
STPSC40065CWY데이터시트 ECOPACK®2 TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.45 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 650 V 1250pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3 -40°C ~ 175°C
VS-80APF12-M3

VS-80APF12-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

384
RFQ
VS-80APF12-M3데이터시트 - TO-247-3 Tube Active Standard 1200 V 80A 1.35 V @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
JANTX1N5190

JANTX1N5190

DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Microchip Technology

189
RFQ
JANTX1N5190데이터시트 - B, Axial Bulk Active Standard 600 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 2 µA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/424 Through Hole B, Axial -
SICPT40120Y-BP

SICPT40120Y-BP

DIODE SIC 1.2KV 40A TO247AD

Micro Commercial Co

1,774
RFQ
SICPT40120Y-BP데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 40A 1.6 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 2938pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
DSEP60-12AR

DSEP60-12AR

DIODE GP 1.2KV 60A ISOPLUS247

IXYS

275
RFQ
DSEP60-12AR데이터시트 HiPerFRED™ ISOPLUS247™ Tube Active Standard 1200 V 60A 2.66 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 650 µA @ 1200 V - - - Through Hole ISOPLUS247™ (BR) -55°C ~ 175°C
S4D40120H

S4D40120H

DIODE SIC 1.2KV 128A TO247AC

SMC Diode Solutions

687
RFQ
S4D40120H데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 128A 1.8 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 3227pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
S85Q

S85Q

DIODE GEN PURP 1.2KV 85A DO5

GeneSiC Semiconductor

370
RFQ
S85Q데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1200 V 85A 1.1 V @ 85 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 180°C
IDW40G65C5BXKSA2

IDW40G65C5BXKSA2

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3

Infineon Technologies

240
RFQ
IDW40G65C5BXKSA2데이터시트 CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 210 µA @ 650 V 590pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3 -55°C ~ 175°C
MSC050SDA070BCT

MSC050SDA070BCT

DIODE SIL CARB 700V 88A TO247-3

Microchip Technology

274
RFQ
MSC050SDA070BCT데이터시트 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 700 V 88A 1.8 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 700 V 2034pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
122NQ030-1

122NQ030-1

DIODE SCHOTTKY 30V 120A PRM1-1

SMC Diode Solutions

298
RFQ
122NQ030-1데이터시트 - HALF-PAK Bulk Active Schottky 30 V 120A 490 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 30 V 7400pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount PRM1-1 (Half Pak Module) -55°C ~ 150°C
248NQ100-2

248NQ100-2

DIODE SCHOTTKY 100V 240A PRM1-1

SMC Diode Solutions

178
RFQ
248NQ100-2데이터시트 - HALF-PAK Bulk Active Schottky 100 V 240A 950 mV @ 240 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 6 mA @ 100 V 5277pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount PRM1-1 (Half Pak Module) -55°C ~ 175°C
242NQ030-1

242NQ030-1

DIODE SCHOTTKY 30V PRM1-1

SMC Diode Solutions

211
RFQ
242NQ030-1데이터시트 - HALF-PAK Bulk Active Schottky 30 V - 510 mV @ 240 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 mA @ 30 V 14800pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount PRM1-1 (Half Pak Module) -55°C ~ 150°C
UES1306HR2/TR

UES1306HR2/TR

DIODE GEN PURP 400V 5A B AXIAL

Microchip Technology

193
RFQ
UES1306HR2/TR데이터시트 - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 5A 1 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 20 µA @ 400 V - - - Through Hole B, Axial -
1N4004-E3/73

1N4004-E3/73

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

27,000
RFQ
1N4004-E3/73데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 400 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 400 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -55°C ~ 150°C
NSVBAS116LT3G

NSVBAS116LT3G

DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

onsemi

11,537
RFQ
NSVBAS116LT3G데이터시트 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active Standard 75 V 200mA 1.25 V @ 150 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 3 µs 5 nA @ 75 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) -55°C ~ 150°C
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카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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