단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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STPSC20065D

STPSC20065D

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC

STMicroelectronics

975
RFQ
STPSC20065D데이터시트 ECOPACK®2 TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.45 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 650 V 1250pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
IDH16G65C5XKSA2

IDH16G65C5XKSA2

DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-1

Infineon Technologies

1,984
RFQ
IDH16G65C5XKSA2데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.7 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 470pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
VS-1N3890R

VS-1N3890R

DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

181
RFQ
VS-1N3890R데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 12A 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
1N5553

1N5553

DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Microchip Technology

251
RFQ
1N5553데이터시트 - B, Axial Bulk Active Standard 800 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 800 V - - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
FFSD10120A

FFSD10120A

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV TO252AA

onsemi

1,706
RFQ
FFSD10120A데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V - 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 612pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-252AA -
1N5551US

1N5551US

DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B

Microchip Technology

165
RFQ
1N5551US데이터시트 - SQ-MELF, E Bulk Active Standard 400 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 400 V - - - Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
IDH12SG60CXKSA2

IDH12SG60CXKSA2

DIODE SIL CARB 600V 12A TO220-1

Infineon Technologies

396
RFQ
IDH12SG60CXKSA2데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 12A 2.1 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 600 V 310pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
VS-3C20ET07T-M3

VS-3C20ET07T-M3

650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

788
RFQ
VS-3C20ET07T-M3데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.5 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 845pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
STPSC20065DI

STPSC20065DI

DIODE SIC 650V 20A TO220AC INS

STMicroelectronics

599
RFQ
STPSC20065DI데이터시트 ECOPACK®2 TO-220-2 Insulated, TO-220AC Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.45 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 650 V 1250pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC ins -40°C ~ 175°C
MSC030SDA070B

MSC030SDA070B

DIODE SIL CARBIDE 700V 60A TO247

Microchip Technology

118
RFQ
MSC030SDA070B데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 700 V 60A 1.8 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 700 V 1200pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
DSP45-18A

DSP45-18A

DIODE GEN PURP 1.8KV 45A TO247

IXYS

5,823
RFQ
DSP45-18A데이터시트 - TO-247-3 Tube Active Standard 1800 V 45A 1.26 V @ 45 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 1800 V 18pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole TO-247 (IXTH) -40°C ~ 175°C
FFSP3065B

FFSP3065B

DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2

onsemi

1,216
RFQ
FFSP3065B데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 1280pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
VS-40EPF02-M3

VS-40EPF02-M3

DIODE GP 200V 40A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

466
RFQ
VS-40EPF02-M3데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 200 V 40A 1.25 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
IDH16G120C5XKSA1

IDH16G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 16A TO220-1

Infineon Technologies

243
RFQ
IDH16G120C5XKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 16A 1.95 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 730pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
C3D16065A

C3D16065A

DIODE SIL CARB 650V 39A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

1,048
RFQ
C3D16065A데이터시트 Z-Rec® TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 39A 1.8 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 95 µA @ 650 V 878pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
VS-80APS08-M3

VS-80APS08-M3

DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,237
RFQ
VS-80APS08-M3데이터시트 - TO-247-3 Tube Active Standard 800 V 80A 1.17 V @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 800 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
DSEI60-10A

DSEI60-10A

DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247AD

IXYS

287
RFQ
DSEI60-10A데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1000 V 60A 2.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 3 mA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
S4D20120H

S4D20120H

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247AC

SMC Diode Solutions

300
RFQ
S4D20120H데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1200 V 721pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
IDK16G120C5XTMA1

IDK16G120C5XTMA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 40A TO263-1

Infineon Technologies

437
RFQ
IDK16G120C5XTMA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 40A 1.95 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 80 µA @ 1200 V 730pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2-1 -55°C ~ 175°C
SCS215AJTLL

SCS215AJTLL

DIODE SIL CARB 650V 15A TO263AB

Rohm Semiconductor

3,996
RFQ
SCS215AJTLL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 15A 1.55 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 300 µA @ 600 V 550pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB 175°C (Max)
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카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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