단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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C6D10065G

C6D10065G

DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2

Wolfspeed, Inc.

253
RFQ
C6D10065G데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 36A 1.4 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 611pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2 -55°C ~ 175°C
FFSP2065B-F085

FFSP2065B-F085

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2

onsemi

660
RFQ
FFSP2065B-F085데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
DSA1-18D

DSA1-18D

DIODE AVALANCHE 1.8KV 2.3A

IXYS

262
RFQ
DSA1-18D데이터시트 - Radial Bulk Active Avalanche 1800 V 2.3A 1.34 V @ 7 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 700 µA @ 1800 V - - - Through Hole - -40°C ~ 150°C
FFSD2065B

FFSD2065B

DIODE SIL CARB 650V 23.4A DPAK

onsemi

1,771
RFQ
FFSD2065B데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23.4A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
IDK10G120C5XTMA1

IDK10G120C5XTMA1

DIODE SIC 1.2KV 31.9A TO263-1

Infineon Technologies

835
RFQ
IDK10G120C5XTMA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 31.9A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 18 µA @ 1200 V 525pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO263-2-1 -55°C ~ 175°C
DSEI30-12A

DSEI30-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 26A TO247AD

IXYS

205
RFQ
DSEI30-12A데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 26A 2.55 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 750 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
IDW12G65C5XKSA1

IDW12G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-3

Infineon Technologies

268
RFQ
IDW12G65C5XKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 190 µA @ 650 V 360pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3 -55°C ~ 175°C
IDH12G65C5XKSA2

IDH12G65C5XKSA2

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-1

Infineon Technologies

850
RFQ
IDH12G65C5XKSA2데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 190 µA @ 650 V 360pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 -55°C ~ 175°C
STPSC15H12D

STPSC15H12D

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220AC

STMicroelectronics

2,768
RFQ
STPSC15H12D데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.5 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 1200 V 1200pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
1N5806E3

1N5806E3

DIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL

Microchip Technology

123
RFQ
1N5806E3데이터시트 - Axial Bulk Active Standard 150 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 150 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
APT60D100BG

APT60D100BG

DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Microchip Technology

839
RFQ
APT60D100BG데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1000 V 60A 2.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 280 ns 250 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
STBR6012W

STBR6012W

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A DO247

STMicroelectronics

516
RFQ
STBR6012W데이터시트 - DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1200 V 60A 1.3 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1200 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
DHG30I1200HA

DHG30I1200HA

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

IXYS

300
RFQ
DHG30I1200HA데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 2.26 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 50 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 150°C
C3D10065I

C3D10065I

DIODE SIL CARB 650V 19A TO220-2

Wolfspeed, Inc.

1,325
RFQ
C3D10065I데이터시트 Z-Rec® TO-220-2 Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 19A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 480pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 Isolated Tab -55°C ~ 175°C
STTH6012WL

STTH6012WL

DIODE GP 1.2KV 60A DO247 LL

STMicroelectronics

946
RFQ
STTH6012WL데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 60A 2.25 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 125 ns 30 µA @ 1200 V - - - Through Hole DO-247 LL 175°C
STBR6012WY

STBR6012WY

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A DO247

STMicroelectronics

112
RFQ
STBR6012WY데이터시트 ECOPACK®2 DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1200 V 60A 1.3 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
STBR6008WY

STBR6008WY

DIODE GEN PURP 800V 60A DO247

STMicroelectronics

510
RFQ
STBR6008WY데이터시트 - DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 800 V 60A 1.1 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 800 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
GD30MPS06H

GD30MPS06H

DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

614
RFQ
GD30MPS06H데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 49A - No Recovery Time > 500mA (Io) - - 735pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
VS-HFA25PB60-N3

VS-HFA25PB60-N3

DIODE GP 600V 25A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

385
RFQ
VS-HFA25PB60-N3데이터시트 HEXFRED® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 25A 1.7 V @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 20 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 150°C
IDD10SG60CXTMA2

IDD10SG60CXTMA2

DIODE SIL CARB 600V 10A TO252-3

Infineon Technologies

217
RFQ
IDD10SG60CXTMA2데이터시트 CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 10A 2.1 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 600 V 290pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-3 -55°C ~ 175°C
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카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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