단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
W7395ED450

W7395ED450

DIODE GEN PURP 2.7KV 7395A W112

IXYS

6,093
RFQ
W7395ED450데이터시트 - DO-200AE Box Active Standard 2700 V 7395A 1.4 V @ 7000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 69 µs 120 mA @ 2700 V - - - Chassis Mount W112 -40°C ~ 160°C
E1250HC45E

E1250HC45E

DIODE GEN PURP 4.5KV 1355A W122

IXYS

2,783
RFQ
E1250HC45E데이터시트 - DO-200AD Box Active Standard 4500 V 1355A 2.07 V @ 1250 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.2 µs 1 mA @ 4500 V - - - Chassis Mount W122 -
W7395ED480

W7395ED480

DIODE GEN PURP 2.88KV 7395A W112

IXYS

2,880
RFQ
W7395ED480데이터시트 - DO-200AE Box Active Standard 2880 V 7395A 1.4 V @ 7000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 69 µs 120 mA @ 2880 V - - - Chassis Mount W112 -40°C ~ 160°C
W6360EC600

W6360EC600

DIODE GEN PURP 6KV 6395A W111

IXYS

4,051
RFQ
W6360EC600데이터시트 - DO-200AE Box Active Standard 6000 V 6395A 1.4 V @ 4000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 73 µs 120 mA @ 6000 V - - - Chassis Mount W111 -40°C ~ 150°C
W5715ED600

W5715ED600

DIODE GEN PURP 6KV 5750A W112

IXYS

9,925
RFQ
W5715ED600데이터시트 - DO-200AE Box Active Standard 6000 V 5750A 1.4 V @ 4000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 73 µs 120 mA @ 6000 V - - - Chassis Mount W112 -40°C ~ 150°C
E2400EC45E

E2400EC45E

DIODE GEN PURP 4.5KV 2490A W111

IXYS

2,780
RFQ
E2400EC45E데이터시트 - DO-200AE Box Active Standard 4500 V 2490A 3.65 V @ 2400 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.22 µs 100 mA @ 4500 V - - - Chassis Mount W111 -40°C ~ 140°C
E3000EC45E

E3000EC45E

DIODE GEN PURP 4.5KV 3410A W111

IXYS

9,075
RFQ
E3000EC45E데이터시트 - DO-200AE Box Active Standard 4500 V 3410A 3.1 V @ 3000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.25 µs 90 mA @ 4500 V - - - Chassis Mount W111 -40°C ~ 140°C
E1780TG65E

E1780TG65E

DIODE GEN PURP 3.6KV 1780A -

IXYS

8,071
RFQ
E1780TG65E데이터시트 SONIC-FRD™ TO-200AF Box Active Standard 3600 V 1780A 3.83 V @ 1780 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.22 µs 100 mA @ 3600 V - - - Chassis Mount - -40°C ~ 140°C
DS2-08A

DS2-08A

DIODE GEN PURP 800V 3.6A AXIAL

IXYS

4,635
RFQ
DS2-08A데이터시트 - Axial Box Active Standard 800 V 3.6A 1.25 V @ 7 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 800 V - - - Through Hole Axial -40°C ~ 180°C
DSEP60-03A

DSEP60-03A

DIODE GEN PURP 300V 60A TO247

IXYS

2,453
RFQ
DSEP60-03A데이터시트 HiPerFRED™ TO-247-2 Tube Obsolete Standard 300 V 60A 1.71 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 650 µA @ 300 V - - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
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