단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
M1104NC450

M1104NC450

DIODE GEN PURP 4.5KV 1104A W5

IXYS

5,197
RFQ
M1104NC450데이터시트 - DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 4500 V 1104A 2.2 V @ 1500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 6 µs 50 mA @ 4500 V - - - Clamp On W5 -40°C ~ 125°C
W1975MC650

W1975MC650

DIODE GEN PURP 6.5KV 1975A W54

IXYS

8,188
RFQ
W1975MC650데이터시트 - DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 6500 V 1975A 3.95 V @ 4200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 45 µs 100 mA @ 6500 V - - - Clamp On W54 -40°C ~ 150°C
M2505MC200

M2505MC200

DIODE GEN PURP 2KV 2505A W54

IXYS

8,050
RFQ
M2505MC200데이터시트 - DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 2000 V 2505A 991 mV @ 2000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 7.6 µs - - - - Clamp On W54 -
W1975MC680

W1975MC680

DIODE GEN PURP 6.8KV 1975A W54

IXYS

5,686
RFQ
W1975MC680데이터시트 - DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 6800 V 1975A 3.95 V @ 4200 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 45 µs 100 mA @ 6800 V - - - Clamp On W54 -40°C ~ 150°C
M2505MC250

M2505MC250

DIODE GEN PURP 2.5KV 2505A W54

IXYS

2,279
RFQ
M2505MC250데이터시트 - DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 2500 V 2505A 991 mV @ 2000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 7.6 µs - - - - Clamp On W54 -
MDO1201-22N1

MDO1201-22N1

DIODE GEN PURP 2.2KV 1950A

IXYS

3,928
RFQ
MDO1201-22N1데이터시트 - Module Box Active Standard 2200 V 1950A 1.15 V @ 3400 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 70 µA @ 2200 V - - - Chassis Mount - -
W6672TJ320

W6672TJ320

DIODE GEN PURP 1.75KV 6672A -

IXYS

9,851
RFQ
W6672TJ320데이터시트 - TO-200AF Box Active Standard 1750 V 6672A 1.37 V @ 5000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 52 µs 100 mA @ 1750 V - - - Chassis Mount TO-200AF -40°C ~ 160°C
W5984TJ360

W5984TJ360

DIODE GEN PURP 3.6KV 5984A W89

IXYS

9,186
RFQ
W5984TJ360데이터시트 - DO-200AE Box Active Standard 3600 V 5984A 1.25 V @ 5000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 47 µs 100 mA @ 3600 V - - - Chassis Mount W89 -40°C ~ 160°C
W6672TJ350

W6672TJ350

DIODE GEN PURP 1.9KV 6672A -

IXYS

4,856
RFQ
W6672TJ350데이터시트 - TO-200AF Box Active Standard 1900 V 6672A 1.37 V @ 5000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 52 µs 100 mA @ 1900 V - - - Chassis Mount TO-200AF -40°C ~ 160°C
W5984TJ400

W5984TJ400

DIODE GEN PURP 4KV 5984A W89

IXYS

7,878
RFQ
W5984TJ400데이터시트 - DO-200AE Box Active Standard 4000 V 5984A 1.25 V @ 5000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 47 µs 100 mA @ 4000 V - - - Chassis Mount W89 -40°C ~ 160°C
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