단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
W5984TE360

W5984TE360

DIODE GEN PURP 3.6KV 5984A W94

IXYS

5,915
RFQ
W5984TE360데이터시트 - DO-200AE Box Active Standard 3600 V 5984A 1.25 V @ 5000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 47 µs 100 mA @ 3600 V - - - Chassis Mount W94 -40°C ~ 160°C
W3090HA600

W3090HA600

DIODE GEN PURP 6KV 3110A W121

IXYS

3,827
RFQ
W3090HA600데이터시트 - DO-200AD Box Active Standard 6000 V 3110A 1.7 V @ 3000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 41 µs 100 mA @ 6000 V - - - Chassis Mount W121 -40°C ~ 150°C
W5984TE400

W5984TE400

DIODE GEN PURP 4KV 5984A W94

IXYS

4,859
RFQ
W5984TE400데이터시트 - DO-200AE Box Active Standard 4000 V 5984A 1.25 V @ 5000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 47 µs 100 mA @ 4000 V - - - Chassis Mount W94 -40°C ~ 160°C
MDO1200-14N1

MDO1200-14N1

DIODE GEN PURP 1.4KV Y1-CU

IXYS

2,814
RFQ
MDO1200-14N1데이터시트 - Y1-CU Tray Obsolete Standard 1400 V - - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis Mount Y1-CU -
MDO1200-16N1

MDO1200-16N1

DIODE GEN PURP 1.6KV Y1-CU

IXYS

9,030
RFQ
MDO1200-16N1데이터시트 - Y1-CU Tray Obsolete Standard 1600 V - - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis Mount Y1-CU -
W6672TE320

W6672TE320

DIODE GEN PURP 1.75KV 6672A -

IXYS

8,239
RFQ
W6672TE320데이터시트 - TO-200AF Box Active Standard 1750 V 6672A 1.37 V @ 5000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 52 µs 100 mA @ 1750 V - - - Chassis Mount TO-200AF -40°C ~ 160°C
W6672TE350

W6672TE350

DIODE GEN PURP 1.9KV 6672A -

IXYS

4,199
RFQ
W6672TE350데이터시트 - TO-200AF Box Active Standard 1900 V 6672A 1.37 V @ 5000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 52 µs 100 mA @ 1900 V - - - Chassis Mount TO-200AF -40°C ~ 160°C
W6262ZC200

W6262ZC200

DIODE GEN PURP 2KV 6262A W7

IXYS

6,957
RFQ
W6262ZC200데이터시트 - DO-200AE Box Active Standard 2000 V 6262A 1.18 V @ 6800 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 150 mA @ 2000 V - - - Chassis Mount W7 -40°C ~ 175°C
W5139TJ480

W5139TJ480

DIODE GEN PURP 4.8KV 5139A W89

IXYS

2,000
RFQ
W5139TJ480데이터시트 - DO-200AE Box Active Standard 4800 V 5139A 1.25 V @ 3000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 57 µs 100 mA @ 4800 V - - - Chassis Mount W89 -40°C ~ 160°C
W6262ZC240

W6262ZC240

DIODE GEN PURP 2.4KV 6262A W7

IXYS

7,777
RFQ
W6262ZC240데이터시트 - DO-200AE Box Active Standard 2400 V 6262A 1.18 V @ 6800 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 150 mA @ 2400 V - - - Chassis Mount W7 -40°C ~ 175°C
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