단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
BYC15-600PQ

BYC15-600PQ

DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

WeEn Semiconductors

4,491
RFQ
BYC15-600PQ데이터시트 - TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 15A 3.2 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 18 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
BYC10-600,127

BYC10-600,127

DIODE GEN PURP 500V 10A TO220AC

WeEn Semiconductors

2,364
RFQ
BYC10-600,127데이터시트 - TO-220-2 Tube Active Standard 500 V 10A 2.9 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 200 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC 150°C (Max)
BYW29E-200,127

BYW29E-200,127

DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

WeEn Semiconductors

5,623
RFQ
BYW29E-200,127데이터시트 - TO-220-2 Tube Active Standard 200 V 8A 1.05 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 10 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-220AC 150°C (Max)
BYR29X-800,127

BYR29X-800,127

DIODE GEN PURP 800V 8A TO220FP

WeEn Semiconductors

5,772
RFQ
BYR29X-800,127데이터시트 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 800 V 8A 1.7 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 10 µA @ 800 V - - - Through Hole TO-220FP 150°C (Max)
BYC8-600,127

BYC8-600,127

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

WeEn Semiconductors

4,082
RFQ
BYC8-600,127데이터시트 - TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 8A 2.9 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 52 ns 150 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC 150°C (Max)
BYV29X-600AQ

BYV29X-600AQ

DIODE GEN PURP TO220F

WeEn Semiconductors

11,942
RFQ
BYV29X-600AQ데이터시트 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active - - - - - - - - - - Through Hole TO-220F -
BYV29FX-600,127

BYV29FX-600,127

DIODE GEN PURP 600V 9A TO220FP

WeEn Semiconductors

6,871
RFQ
BYV29FX-600,127데이터시트 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 9A 1.9 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220FP 150°C (Max)
BYV29X-600,127

BYV29X-600,127

DIODE GEN PURP 600V 9A TO220FP

WeEn Semiconductors

6,198
RFQ
BYV29X-600,127데이터시트 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 9A 1.26 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220FP 150°C (Max)
BYT79X-600,127

BYT79X-600,127

DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP

WeEn Semiconductors

478
RFQ
BYT79X-600,127데이터시트 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 15A 1.38 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220FP 150°C (Max)
BYV29B-500,118

BYV29B-500,118

DIODE GEN PURP 500V 9A D2PAK

WeEn Semiconductors

4,725
RFQ
BYV29B-500,118데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 500 V 9A 1.25 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 50 µA @ 500 V - - - Surface Mount D2PAK 150°C (Max)
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