단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
BYV29X-600PQ

BYV29X-600PQ

DIODE GEN PURP 600V 9A TO220FP

WeEn Semiconductors

5,449
RFQ
BYV29X-600PQ데이터시트 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 9A 1.3 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220FP 175°C (Max)
BYC8DX-600,127

BYC8DX-600,127

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP

WeEn Semiconductors

5,987
RFQ
BYC8DX-600,127데이터시트 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 8A 2.9 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 40 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220FP 150°C (Max)
BYC8X-600,127

BYC8X-600,127

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP

WeEn Semiconductors

5,630
RFQ
BYC8X-600,127데이터시트 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 8A 2.9 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 52 ns 150 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220FP 150°C (Max)
BYC15X-600PQ

BYC15X-600PQ

DIODE GEN PURP 600V 15A TO220F

WeEn Semiconductors

4,911
RFQ
BYC15X-600PQ데이터시트 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 15A 3.2 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 18 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220F 175°C (Max)
WND10P08YQ

WND10P08YQ

DIODE GP 800V 10A IITO220-2

WeEn Semiconductors

5,973
RFQ
WND10P08YQ데이터시트 - TO-220-2 Tube Active Standard 800 V 10A 1.3 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 800 V - - - Through Hole IITO-220-2 150°C
BYC10DX-600,127

BYC10DX-600,127

DIODE GEN PURP 500V 10A TO220FP

WeEn Semiconductors

5,465
RFQ
BYC10DX-600,127데이터시트 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 500 V 10A 2.5 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 18 ns 200 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220FP 150°C (Max)
BYC15-1200PQ

BYC15-1200PQ

DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220AC

WeEn Semiconductors

11,837
RFQ
BYC15-1200PQ데이터시트 - TO-220-2 Bulk Active Standard 1200 V 15A 3.2 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 61 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
BYV25FD-600,118

BYV25FD-600,118

DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK

WeEn Semiconductors

8,191
RFQ
BYV25FD-600,118데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 5A 1.9 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 50 µA @ 600 V - - - Surface Mount DPAK 150°C (Max)
BYV10ED-600PJ

BYV10ED-600PJ

DIODE GEN PURP 600V 10A DPAK

WeEn Semiconductors

4,562
RFQ
BYV10ED-600PJ데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 10A 2 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 600 V - - - Surface Mount DPAK 175°C (Max)
BYC8-600P,127

BYC8-600P,127

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

WeEn Semiconductors

3,051
RFQ
BYC8-600P,127데이터시트 - TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 8A 1.9 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 18 ns 20 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
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