단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
GP3D008A065A

GP3D008A065A

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2

SemiQ

7,088
RFQ
GP3D008A065A데이터시트 Amp+™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.6 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 336pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GP3D010A065A

GP3D010A065A

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2

SemiQ

8,334
RFQ
GP3D010A065A데이터시트 Amp+™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 650 V 419pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GP3D010A065B

GP3D010A065B

DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2

SemiQ

7,555
RFQ
GP3D010A065B데이터시트 Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 650 V 419pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GP3D012A065A

GP3D012A065A

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2

SemiQ

6,993
RFQ
GP3D012A065A데이터시트 Amp+™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.5 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 572pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GP3D008A065D

GP3D008A065D

DIODE SIC 650V 8A TO263-2L

SemiQ

3,278
RFQ
GP3D008A065D데이터시트 - - Tape & Reel (TR) Active - 650 V 8A - - - - - - - - - -
GP3D010A065C

GP3D010A065C

DIODE SILICON CARBIDE

SemiQ

8,544
RFQ
GP3D010A065C데이터시트 * - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
GP3D010A065D

GP3D010A065D

DIODE SIC 650V 8A TO263-2L

SemiQ

5,502
RFQ
GP3D010A065D데이터시트 - - Tape & Reel (TR) Active - 650 V 10A - - - - - - - - - -
GP3D012A065B

GP3D012A065B

DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2

SemiQ

2
RFQ
GP3D012A065B데이터시트 Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.5 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 572pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GP3D020A065A

GP3D020A065A

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2

SemiQ

8,484
RFQ
GP3D020A065A데이터시트 Amp+™ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.65 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 75 µA @ 650 V 1247pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GP3D010A120B

GP3D010A120B

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2

SemiQ

4,098
RFQ
GP3D010A120B데이터시트 Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.65 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 608pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
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