단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
FFSP1265A

FFSP1265A

DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L

onsemi

768
RFQ
FFSP1265A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 15A 1.75 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 665pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
FFSD1065A

FFSD1065A

DIODE SIL CARBIDE 650V 18A DPAK

onsemi

6,468
RFQ
FFSD1065A데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 18A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 575pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
FFSB1065B-F085

FFSB1065B-F085

DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK

onsemi

1,530
RFQ
FFSB1065B-F085데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 27A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 421pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSP1065A

FFSP1065A

DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L

onsemi

1,506
RFQ
FFSP1065A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 15A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 575pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
FFSB0865A

FFSB0865A

DIODE SIC 650V 15.4A D2PAK-3

onsemi

800
RFQ
FFSB0865A데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 15.4A 1.75 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 463pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSB0865B-F085

FFSB0865B-F085

DIODE SIL CARB 650V 10.1A D2PAK

onsemi

550
RFQ
FFSB0865B-F085데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10.1A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 336pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSP1665A

FFSP1665A

DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2

onsemi

1,882
RFQ
FFSP1665A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.75 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 887pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
FFSM1065A

FFSM1065A

DIODE SIL CARBIDE 650V 11A 4PQFN

onsemi

2,995
RFQ
FFSM1065A데이터시트 - 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 11A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 575pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
FFSH1265BDN-F085

FFSH1265BDN-F085

DIODE SIL CARB 650V 7.2A TO247-3

onsemi

756
RFQ
FFSH1265BDN-F085데이터시트 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 7.2A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 259pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
FFSP08120A

FFSP08120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO220-2L

onsemi

365
RFQ
FFSP08120A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 8A 1.75 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 1200 V 538pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
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