단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
FFSP0665A

FFSP0665A

DIODE SIL CARB 650V 8.8A TO220L

onsemi

688
RFQ
FFSP0665A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8.8A 1.75 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 361pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
FFSD0865B

FFSD0865B

DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK

onsemi

148
RFQ
FFSD0865B데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 11.6A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 336pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
FFSP1065B-F085

FFSP1065B-F085

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2

onsemi

789
RFQ
FFSP1065B-F085데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 421pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
FFSD0865B-F085

FFSD0865B-F085

DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK

onsemi

3,693
RFQ
FFSD0865B-F085데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 11.6A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 336pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
FFSM0665B

FFSM0665B

DIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFN

onsemi

2,980
RFQ
FFSM0665B데이터시트 - 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 9.1A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 259pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
FFSP0865A

FFSP0865A

DIODE SIL CARB 650V 13A TO220-2

onsemi

790
RFQ
FFSP0865A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13A 1.75 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 463pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
FFSM0465A

FFSM0465A

DIODE SIL CARBIDE 650V 4A 4PQFN

onsemi

4,028
RFQ
FFSM0465A데이터시트 - 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.75 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 247pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
FFSB1065B

FFSB1065B

DIODE SIL CARB 650V 27A D2PAK-2

onsemi

686
RFQ
FFSB1065B데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 27A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 421pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSM0665A

FFSM0665A

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4PQFN

onsemi

2,860
RFQ
FFSM0665A데이터시트 - 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.75 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 365pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
FFSB0665B-F085

FFSB0665B-F085

DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2

onsemi

910
RFQ
FFSB0665B-F085데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 259pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
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