단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
1N4247

1N4247

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Microchip Technology

338
RFQ
1N4247데이터시트 - A, Axial Bulk Active Standard 600 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 1 µA @ 600 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
1N3595UR-1

1N3595UR-1

DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Microchip Technology

624
RFQ
1N3595UR-1데이터시트 - DO-213AA Bulk Active Standard 125 V 150mA 1 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 3 µs 1 nA @ 125 V - - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
APT15DQ120BHBG

APT15DQ120BHBG

DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247-3

Microchip Technology

101
RFQ
APT15DQ120BHBG데이터시트 - TO-247-3 Tube Active Standard 1200 V 15A 3.5 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 240 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
MSC030SDA070K

MSC030SDA070K

DIODE SIL CARB 700V 30A TO220-2

Microchip Technology

119
RFQ
MSC030SDA070K데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 700 V 30A 1.5 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-220-2 -
MSC015SDA120B

MSC015SDA120B

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO247

Microchip Technology

134
RFQ
MSC015SDA120B데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.5 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-247 -
JANTX1N3595UR-1

JANTX1N3595UR-1

DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Microchip Technology

141
RFQ
JANTX1N3595UR-1데이터시트 - DO-213AA Bulk Active Standard 125 V 150mA 920 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 3 µs 1 nA @ 125 V - Military MIL-S-19500-241 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
MSC020SDA120K

MSC020SDA120K

DIODE SIL CARB 1.2KV 49A TO220-2

Microchip Technology

105
RFQ
MSC020SDA120K데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 49A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 1130pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
UES1104

UES1104

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Microchip Technology

105
RFQ
UES1104데이터시트 - A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 200 V - - - Through Hole A, Axial -55°C ~ 150°C
MNS1N6627US/TR

MNS1N6627US/TR

DIODE GEN PURP 440V 1.75A E-MELF

Microchip Technology

483
RFQ
MNS1N6627US/TR데이터시트 - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 440 V 1.75A 1.35 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 440 V - - - Surface Mount E-MELF -65°C ~ 150°C
1N4153UR/TR

1N4153UR/TR

SIGNAL OR COMPUTER DIODE

Microchip Technology

610
RFQ
1N4153UR/TR데이터시트 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
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