단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
CD5819

CD5819

DIODE SCHOTTKY 40V 1A DIE

Microchip Technology

392
RFQ
CD5819데이터시트 - Die Bulk Active Schottky 40 V 1A 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 40 V - Military MIL-PRF-19500/586 Surface Mount Die -55°C ~ 125°C
MSC010SDA120B

MSC010SDA120B

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247

Microchip Technology

1,511
RFQ
MSC010SDA120B데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-247 -
JAN1N5552

JAN1N5552

DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Microchip Technology

152
RFQ
JAN1N5552데이터시트 - B, Axial Bulk Active Standard 600 V 3A 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/420 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
1N5619

1N5619

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Microchip Technology

301
RFQ
1N5619데이터시트 - A, Axial Bulk Active Standard 600 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 500 nA @ 600 V 25pF @ 12V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
1N5806E3

1N5806E3

DIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL

Microchip Technology

123
RFQ
1N5806E3데이터시트 - Axial Bulk Active Standard 150 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 150 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
APT60D100BG

APT60D100BG

DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Microchip Technology

839
RFQ
APT60D100BG데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1000 V 60A 2.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 280 ns 250 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
1N5806USE3

1N5806USE3

DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A

Microchip Technology

148
RFQ
1N5806USE3데이터시트 - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 150 V 1A 975 mV @ 2.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 150 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
CDLL5819

CDLL5819

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Microchip Technology

144
RFQ
CDLL5819데이터시트 - DO-213AB, MELF Bulk Active Schottky 45 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AB -65°C ~ 125°C
1N5617US

1N5617US

DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A

Microchip Technology

608
RFQ
1N5617US데이터시트 - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 400 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 500 nA @ 400 V 35pF @ 12V, 1MHz - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
JANTX1N5804

JANTX1N5804

DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Microchip Technology

148
RFQ
JANTX1N5804데이터시트 - A, Axial Bulk Active Standard 100 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 100 V 25pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
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