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제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
MUR5040R

MUR5040R

DIODE GEN PURP REV 400V 50A DO5

GeneSiC Semiconductor

4,218
RFQ
MUR5040R데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 50A 1 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -55°C ~ 150°C
MUR5060R

MUR5060R

DIODE GEN PURP REV 600V 50A DO5

GeneSiC Semiconductor

2,919
RFQ
MUR5060R데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 50A 1 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 10 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -55°C ~ 150°C
1N5832

1N5832

DIODE SCHOTTKY 20V 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

5,635
RFQ
1N5832데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky 20 V 40A 520 mV @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 mA @ 10 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
1N5833

1N5833

DIODE SCHOTTKY 30V 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

8,161
RFQ
1N5833데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky 30 V 40A 550 mV @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 mA @ 10 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
1N5834

1N5834

DIODE SCHOTTKY 40V 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

5,900
RFQ
1N5834데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky 40 V 40A 590 mV @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 mA @ 10 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
SD51

SD51

DIODE SCHOTTKY 45V 60A DO5

GeneSiC Semiconductor

4,622
RFQ
SD51데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky 45 V 60A 660 mV @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 5 mA @ 45 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
GB25MPS17-247

GB25MPS17-247

DIODE SIL CARB 1.7KV 52A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

6,756
RFQ
GB25MPS17-247데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 52A 1.8 V @ 25 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1700 V 2350pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
1N5832R

1N5832R

DIODE SCHOTTKY REV 20V 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

6,546
RFQ
1N5832R데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 20 V 40A 520 mV @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 mA @ 10 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
1N5833R

1N5833R

DIODE SCHOTTKY REV 30V 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

2,466
RFQ
1N5833R데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 30 V 40A 550 mV @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 mA @ 10 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
1N5834R

1N5834R

DIODE SCHOTTKY REV 40V 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

6,689
RFQ
1N5834R데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 40 V 40A 590 mV @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 mA @ 10 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C
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