단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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FR20G02

FR20G02

DIODE GEN PURP 400V 20A DO5

GeneSiC Semiconductor

2,977
RFQ
FR20G02데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 400 V 20A 1 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
FR20J02

FR20J02

DIODE GEN PURP 600V 20A DO5

GeneSiC Semiconductor

5,574
RFQ
FR20J02데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 600 V 20A 1 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
GD30MPS12J

GD30MPS12J

DIODE SIL CARB 1.2KV 59A TO263-7

GeneSiC Semiconductor

5,115
RFQ
GD30MPS12J데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 59A 1.8 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 1101pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-7 -55°C ~ 175°C
GAP3SLT33-220FP

GAP3SLT33-220FP

DIODE SIC 3.3KV 300MA TO220FP

GeneSiC Semiconductor

2,729
RFQ
GAP3SLT33-220FP데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-220-2 Full Pack Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 3300 V 300mA 1.7 V @ 300 mA - 0 ns 5 µA @ 3300 V 42pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220FP -55°C ~ 175°C
FR12BR02

FR12BR02

DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

7,472
RFQ
FR12BR02데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 12A 800 mV @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR12DR02

FR12DR02

DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

6,320
RFQ
FR12DR02데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 12A 800 mV @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR12GR02

FR12GR02

DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

7,185
RFQ
FR12GR02데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 12A 800 mV @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
FR12JR02

FR12JR02

DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

6,966
RFQ
FR12JR02데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 12A 800 mV @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 25 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
GC20MPS12-247

GC20MPS12-247

DIODE SIL CARB 1.2KV 90A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

6,667
RFQ
GC20MPS12-247데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 90A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 18 µA @ 1200 V 1298pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
FR20K05

FR20K05

DIODE GEN PURP 800V 20A DO5

GeneSiC Semiconductor

6,327
RFQ
FR20K05데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 800 V 20A 1 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -40°C ~ 125°C
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